ST2304SRG
N沟道增强型MOSFET
3.2A
描述
ST2304SRG是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
这是使用高密度生产， DMOS沟道技术。这种高密度
过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理，其它电池供电的电路，并且低线的功率
需要损失。该产品是在一个非常小的轮廓表面贴装封装。
引脚配置
SOT-23
特征
30V / 3.2A ，R
DS （ ON）
= 44米欧姆（典型值）。
@VGS = 10.0V
30V / 2.0A ，R
DS （ ON）
= 60米欧姆
@VGS = 4.5V
30V / 1.5A ，R
DS （ ON）
= 90 M-欧姆
@VGS = 2.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS （ ON）
呈导通电阻和最大
DC电流能力
SOT- 23封装设计
3
D
G
1
1.Gate
2.Source
S
2
3.Drain
最热
SOT-23
3
04YA
1
Y：年份代码
2
答：处理代码
订购信息
产品型号
ST2304SRG
包
SOT-23
最热
04YA
※
过程代码： AZ ; AZ
※
ST2304SRG
S： SOT -23 ; R：带卷轴; G：铅 - 免费
STANSON科技
120宾利广场，加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
ST2304SRG 2005 V1
