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恩智浦半导体
LPC408x/7x
32位ARM Cortex -M4微控制器
[1]
[2]
[3]
指的是SDRAM的时钟信号EMC_CLKx 。
数据输入建立时间必须与以下余量来选择：
t
SU（ D）
+延时反馈时钟的时间
SDRAM存取时间
板的延迟时间
0.
的数据输入的保持时间必须与以下余量来选择：
t
H（ D）
+ SDRAM存取时间 - 板延迟时间 - 反馈时钟的延迟时间
0.
EMC_CLKn
延迟= 0
T
CY （ CLK ）
EMC_DYCSn ，
EMC_RAS ，
EMC_CAS ，
EMC_WE ，
EMC_CKEOUTn ，
EMC_A [22 ：0] ，
EMC_DQMOUTn
t
D（ XV）
t
H（ X）
t
D（ QV ）
EMC_D [31 ：0]的
写
t
H（ Q）
t
SU（ D）
EMC_D [31 ：0]的
读
t
H（ D）
002aah129
图20.动态的外部存储器接口信号时序
表18 。
动态特性：动态的外部存储器接口编程
时钟延迟
C
L
= 10 pF的，T
AMB
=
40
C至85
C，V
DD(3V3)
= 3.0 V至3.6 V.Values保证了设计。
符号
t
d
参数
延迟时间
条件
可编程延迟块0 （ CMDDLY
或CLKOUTnDLY位0 = 1）
可编程延迟模块1 （ CMDDLY
或CLKOUTnDLY位1 = 1）
可编程延迟块2 （ CMDDLY
或CLKOUTnDLY位2 = 1）
可编程延迟块3 （ CMDDLY
或CLKOUTnDLY位3 = 1）
可编程延迟块4 （ CMDDLY
或CLKOUTnDLY位4 = 1）
[1]
[1]
民
0.1
0.2
0.5
1.2
2.4
最大
0.2
0.5
1.3
2.9
6.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
[1]
[1]
[1]
[1]
可编程延迟块由在EMC寄存器块的EMCDLYCTL寄存器控制。所有
延迟时间的延迟增量为每个元素从延迟块0开始查看
LPC408x / 7X用户
手册
了解详细信息。
LPC408X_7X
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第1版 - 2012年9月17日
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