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恩智浦半导体
LPC408x/7x
32位ARM Cortex -M4微控制器
动态特性：动态的外部存储器接口，读出位策略
（ RD位） = 00
- 续
C
L
= 10 pF的，T
AMB
=
40
C至85
C，V
DD(3V3)
= 3.0 V至3.6 V.所有可编程延迟
EMCDLYCTL被绕过。值保证了设计。
符号
t
H（ CAS ）
t
D（ WV）
t
小时（ W）的
t
D（ AV ）
t
H（ A）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
D（ QV ）
t
H（ Q）
[1]
[2]
[3]
表16 。
参数
列地址选通的保持时间
编写有效的延迟时间
写保持时间
地址有效延迟时间
地址保持时间
数据输入建立时间
数据输入保持时间
数据输出有效的延迟时间
数据输出保持时间
[2]
[3]
民
1.3
3.6
1.6
3.4
1.1
5.3
3.7
3.9
0.2
最大
3.5
7.7
4.2
7.4
3.0
1.5
5.2
8.7
1.6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期参数
写周期参数
指的是SDRAM的时钟信号EMC_CLKx 。
数据输入建立时间必须与以下余量来选择：
t
SU（ D）
+延时反馈时钟的时间
SDRAM存取时间
板的延迟时间
0.
的数据输入的保持时间必须与以下余量来选择：
t
H（ D）
+ SDRAM的访问时间
板的延迟时间
延迟反馈时钟的时间
0.
动态特性：动态的外部存储器接口，读出位策略
（ RD位） = 01
C
L
= 10 pF的，T
AMB
=
40
C至85
C，V
DD(3V3)
= 3.0 V至3.6 V.所有可编程延迟
EMCDLYCTL被绕过。值保证了设计。
符号
T
CY （ CLK ）
t
D（ SV）
t
H（ S）
t
D（ RASV ）
t
小时（ RAS）的
t
D（ CASV ）
t
H（ CAS ）
t
D（ WV）
t
小时（ W）的
t
D（ AV ）
t
H（ A）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
D（ QV ）
t
H（ Q）
LPC408X_7X
表17 。
参数
时钟周期时间
片选有效的延迟时间
芯片选择保持时间
行地址选通信号的有效延迟时间
行地址选通信号的保持时间
列地址选通信有效延迟时间
列地址选通的保持时间
编写有效的延迟时间
写保持时间
地址有效延迟时间
地址保持时间
数据输入建立时间
数据输入保持时间
数据输出有效的延迟时间
数据输出保持时间
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
民
[1]
最大
-
6.0
3.1
6.0
3.3
6.1
3.3
7.1
4.2
7.3
2.8
1.5
5.2
7.3
1.6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
常见的读，写周期
12.5
2.7
1.0
2.7
1.1
2.7
1.2
3.2
1.6
3.3
1.0
[2]
[3]
读周期参数
5.3
3.7
3.3
0.2
写周期参数
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目标数据表
第1版 - 2012年9月17日
85 123
