TPIC5424L
H桥逻辑电平功率DMOS阵列
SLIS026A - 1994年6月 - 修订1994年11月
典型特征
电容
vs
漏极至源极电压
500
450
400
电容 - pF的
350
300
250
200
150
100
50
0
0
10
20
30
40
VDS - 漏极 - 源极电压 - V
科斯
CRSS
西塞
我的SD - 源极到漏极二极管电流 - 一个
F = 1 MHz的
VGS = 0
TJ = 25°C
3
VGS = 0
2
源 - 漏二极管电流
vs
源 - 漏电压
1
0.6
0.4
TJ = 125°C
TJ = 150℃
0.2
TJ = - 40°C
TJ = 25°C
TJ = 75℃
0.1
0.1
1
VSD - 源极到漏极电压 - V
10
图11
栅极 - 源极电压
vs
栅极电荷
60
ID = 0.5 A
TJ = 25°C
见图3
VDD = 20 V
6
200
175
TRR - 反向恢复时间 - NS
VGS - 栅极 - 源极电压 - V
150
图12
反向恢复时间
vs
REVERSE的di / dt
VDS = 48 V
VGS = 0
IS = 0.5 A
TJ = 25°C
见图1
Z2与Z4
125
100
75
50
Z1和Z3
25
0
0
0
100
200
300
400
相反的di / dt - A / μs的
500
600
VDS - 漏极 - 源极电压 - V
50
5
40
VDD = 30 V
4
30
VDD = 48 V
20
3
2
10
VDD = 20 V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
QG - 栅极电荷 - 数控
1
图13
图14
8
邮政信箱655303达拉斯，德克萨斯州75265
邮政信箱1443休斯敦，得克萨斯州77251-1443
