TPIC5424L
H桥逻辑电平功率DMOS阵列
SLIS026A - 1994年6月 - 修订1994年11月
参数测量信息
VDD = 25 V
tw
23.3毫亨
脉冲发生器
（见注一）
50
RGEN
50
VDS
VDS
VGS
0
ID
IAS
（见注B）
0
V（ BR ） DSX = 60 V最小
TAV
5V
ID
VGS
DUT
0
电压和电流波形
测试电路
注：A脉冲发生器具有以下特点：痕量
≤
10纳秒， TF
≤
10 NS， ZO = 50
.
B.输入脉冲宽度（ TW ）增加至峰值电流IAS = 3 A.
I
V
吨AV
AS
（ BR ） DSX
能量检测水平定义为E
+
+
180兆焦耳。
AS
2
图4.单脉冲雪崩能量测试电路和波形
典型特征
栅极 - 源极阈值电压
vs
结温
VGS （ TH） - 栅 - 源阈值电压 - V
2.5
VDS = VGS
0.7
2
ID = 1毫安
1.5
ID = 100
A
1
R DS（ON ） - 静态漏 - 源
导通状态电阻 -
0.6
VGS = 4.5 V
0.5
VGS = 5V
0.4
0.3
0.2
0.1
0
40 20
0
40 20
静态漏 - 源极导通电阻
vs
结温
0.8
ID = 1
0.5
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TJ - 结温 -
°C
TJ - 结温 -
°C
图5
图6
6
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