SLIS027A - 1994年10月 - 修订1995年10月
TPIC5421L
H桥门受保护逻辑电平
功率DMOS阵列
参数测量信息
当前
调节器
12-V
电池
0.2
F
50 k
0.3
F
VDS
IG = 100
A
DUT
VDD
VGS
栅极电压
时间
IG电流 -
取样电阻
测试电路
ID电流 -
取样电阻
波形
同一类型
作为DUT
Qg
5V
QGS （日）
QGD
0V
图3.栅极电荷测试电路和波形
VDD = 25 V
tw
23毫亨
脉冲发生器
（见注一）
50
RGEN
50
VDS
VDS
VGS
0V
ID
IAS
（见注B）
0V
V（ BR ） DSX = 60 V最小
TAV （见注B）
5V
ID
VGS
DUT
0V
电压和电流波形
测试电路
注：A脉冲发生器具有以下特点：痕量
≤
10纳秒， TF
≤
10 NS， ZO = 50
.
B.输入脉冲宽度（ TW ）增加至峰值电流IAS = 3 A.
I
能量检测水平定义为E
其中， TAV =雪崩时间
AS
+
AS
V
（ BR ） DSX
2
吨AV
+
180兆焦耳，
图4.单脉冲雪崩能量测试电路和波形
6
邮政信箱655303达拉斯，德克萨斯州75265
邮政信箱1443休斯敦，得克萨斯州77251-1443
