SLIS027A - 1994年10月 - 修订1995年10月
TPIC5421L
H桥门受保护逻辑电平
功率DMOS阵列
阻性负载开关特性，T
C
= 25°C
参数
TD （上）
TD （关闭）
tr2
tf2
Qg
QGS （日）
QGD
LD
LS
Rg
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
下降时间
总栅极电荷
阈值的栅 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部排水电感
内部源极电感
内部栅极电阻
VDS = 48 V ，
见图3
ID = 0.5 A ，
VGS = 5V ，
VDD = 25 V ，
TF1 = 10纳秒，
RL = 25
,
见图2
TR1 = 10纳秒，
测试条件
民
典型值
25
20
21
9
3.9
0.55
2.5
5
5
0.25
nH
最大
50
40
42
18
5
0.8
3.6
nC
ns
单位
热阻
参数
DW包装
R
θJA
JA
R
θJB
R
θJP
结至环境热阻
结至电路板的热阻
结对引脚热阻
NE包装
DW包装
DW包装
NE包装
见注4和6
见注4和6
见注5和6
测试条件
民
典型值
90
60
53
30
25
° C / W
C / W
最大
单位
注：4.封装安装在一FR4印刷电路板没有散热片。
5.包安装在了无限的散热器亲密接触。
6.具有相同的功率输出的所有
4
邮政信箱655303达拉斯，德克萨斯州75265
邮政信箱1443休斯敦，得克萨斯州77251-1443
