TPS51916
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SLUSAE1D - 2010年12月 - 修订2012年6月
完整的DDR2， DDR3和DDR3L存储器功率解决方案同步降压
控制器， 2 -A LDO ，缓冲基准
1
特点
同步降压控制器（ VDDQ ）
- 转换电压范围： 3 V至28 V
- 输出电压范围： 0.7 V至1.8 V
– 0.8% V
REF
准确性
- 可选择的控制结构
- D- CAP 模式的快速瞬态
响应
- D- CAP2 模式的陶瓷输出
电容器
- 可选择300千赫/ 400千赫/ 500千赫/
670 kHz的开关频率
- 在轻重优化效率
负载时自动跳过功能
- 支持软关机在S4 / S5状态
- OCL / OVP / UVP / UVLO保护功能
- 电源良好输出
2 -A LDO （ VTT ） ，缓冲基准（ VTTREF ）
- 2 -A （峰值）库和源电流
- 需要陶瓷输出只有10 μF
电容
- 缓冲，低噪声， 10毫安VTTREF
产量
- 0.8 ％ VTTREF ， 20 mV的VTT精度
- 支持高-Z在S3和软关断S4 / S5
热关断
20引脚为3mm × 3mm时， QFN封装
描述
该TPS51916提供一个完整的电源
在DDR2 ， DDR3和DDR3L内存系统
最低的总成本和最小的空间。它集成了一个
同步降压型稳压器（ VDDQ ）与
2 -A汇/源追踪LDO （ VTT ）及缓冲的低
噪声基准（ VTTREF ） 。该TPS51916采用
D- CAP 模式，再加上300千赫/ 400千赫
频率易用性和快速瞬态
反应或D- CAP2 模式加上较高
为500 kHz / 670 kHz的频率，支持陶瓷
无需外部补偿的输出电容器
电路。在VTTREF跟踪中出色的VDDQ / 2
0.8 ％的精度。在VTT ，它提供2 -A
汇/源极峰值电流能力，只需要
10 μF的陶瓷电容。此外，一个
专用LDO电源输入可用。
该TPS51916提供了丰富的实用功能以及
作为出色的电源性能。它支持
灵活的电源状态控制，将VTT高-Z在
S3和放电VDDQ ， VTT和VTTREF （软
关）在S4 / S5状态。与低端可编程OCL
MOSFET
DS （ ON）
传感， OVP / UVP / UVLO和
热关断保护功能也可提供。
该TPS51916采用20引脚可为3mm × 3
毫米QFN封装，规定的环境
温度从-40 ° C到85°C 。
VIN
5VIN
保护地
TPS51916
VBST 15
12 V5IN
17 S3
16 S5
DRVH 14
SW 13
DRVL 11
6
VREF
保护地10
PGOOD 20
8
REFIN
VDDQSNS
VLDOIN
7
GND
VTT
VTTSNS
VTTGND
VTTREF
9
2
3
1
4
5
VTTREF
VTT
POWERGOOD
2
VDDQ
S3
应用
DDR2 / DDR3 / DDR3L内存电源
SSTL_18 ， SSTL_15 ， SSTL_135和HSTL
终止
保护地
S5
19 MODE
18 TRIP
UDG-10193
AGND PGND
AGND
保护地
1
2
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D- CAP ， D- CAP2是德州仪器的商标。
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