FDMS8670AS的N-沟道PowerTrench
SyncFET
TM
2008年8月
FDMS8670AS
N沟道
特点
最大
DS （ ON）
= 3.0mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 23A
最大
DS （ ON）
= 4.7MΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 18A
先进的封装和芯片组合
对于低R
DS （ ON）
和高效率
SyncFET肖特基体二极管
MSL1稳健包装设计
符合RoHS
的PowerTrench
SyncFET
TM
概述
tm
30V ， 42A ， 3.0mΩ
该FDMS8670AS已被设计为在最小化损失
电源转换应用。在这两个硅进步和
封装技术，已被合并到提供的最低
r
DS （ ON）
同时保持出色的开关性能。这
装置具有高效率的单片肖特基额外的好处
体二极管。
应用
同步整流DC / DC转换器
笔记本Vcore电压/ GPU的低边开关
负载低侧开关的网络点
电信二次侧整流
销1
S
S
D
S
G
5
6
7
8
4
3
2
1
G
S
S
S
D
D
D
D
D
D
功率56 （底视图）
D
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续（包装有限公司）
I
D
- 连续（硅有限公司）
-Continuous
-Pulsed
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
（注1A ）
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
（注1A ）
参数
评级
30
±20
42
127
23
200
384
78
2.5
-55到+150
mJ
W
°C
A
单位
V
V
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1A ）
1.6
50
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDMS8670AS
设备
FDMS8670AS
包
电源56
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000units
2008飞兆半导体公司
FDMS8670AS Rev.C1
1
www.fairchildsemi.com
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SyncFET
TM
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
I
D
= 10毫安，引用至25℃
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
30
28
500
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 10毫安，引用至25℃
V
GS
= 10V ，我
D
= 23A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 18A
V
GS
= 10V ，我
D
= 23A ，T
J
= 125°C
V
DD
= 10V ，我
D
= 23A
1.0
1.7
-5
2.4
3.5
3.5
143
3.0
4.7
4.7
S
m
3.0
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
2718
1537
343
0.9
3615
2045
515
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至10V
V
DD
= 15V,
V
GS
= 0V至4.5V
I
D
= 23A
V
DD
= 15V ，我
D
= 23A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 6
14
5
32
4
39
20
7.2
4.0
26
10
52
10
55
28
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
=2A
（注3）
0.4
39
48
0.7
63
77
V
ns
nC
I
F
= 23A ，的di / dt = 300A / μs的
注意事项：
1. R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
B 。安装在当125 °C / W
2盎司纯铜最小焊盘。
一。装在当50℃ / W的
在A 1
2
垫2盎司纯铜。
2.起始物为
J
= 25℃时，L = 3MH ，我
AS
= 16A ，V
DD
= 30V, V
GS
=10V.
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
2008飞兆半导体公司
FDMS8670AS Rev.C1
2
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TM
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
200
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10V
4.0
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4V
3.5
V
GS
= 3V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
160
I
D
,
漏电流（ A）
3.0
2.5
2.0
1.5
V
GS
= 10V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 4V
V
GS
= 4.5V
120
V
GS
= 3.5V
80
V
GS
= 3V
40
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
1.0
0.5
0
40
80
120
160
200
I
D
,
漏极电流（ A）
0
0
1
2
3
4
V
DS
,
漏源极电压（ V）
图1.区域特征
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
14
源导通电阻
(
m
)
1.8
归
漏极至源极导通电阻
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
I
D
= 23A
V
GS
= 10V
12
10
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
r
DS （ ON）
，沥去
I
D
= 23A
8
6
T
J
= 125
o
C
4
2
T
J
= 25
o
C
0
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
2
4
6
8
10
V
GS
,
栅极至源极电压
(
V
)
图3.归一导通电阻
VS结温
I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
100
10
T
J
= 125
o
C
V
GS
= 0V
175
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
140
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
= 5V
105
70
T
J
= 125
o
C
1
0.1
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
35
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
0.01
0
1
2
3
4
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
10
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 23A
5000
8
6
4
2
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
电容（pF）
V
DD
= 10V
V
DD
= 15V
V
DD
= 20V
C
国际空间站
1000
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
Q
g
，栅极电荷（ NC）
30
40
100
0.1
1
10
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
140
120
I
D
,
漏电流（ A）
40
I
AS
，雪崩电流（ A）
100
V
GS
= 10V
10
T
J
= 25
o
C
80
60
40
20
不限按包
V
GS
= 4.5V
T
J
= 125
o
C
1
0.01
R
θ
JC
= 1.6 C / W
o
0.1
1
10
100
600
0
25
50
75
100
o
125
150
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
T
C
,
外壳温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
300
P
(
PK
)
,
瞬态峰值功率（ W）
图10.最大连续漏极
电流与外壳温度
2000
1000
100
I
D
，漏电流（ A）
100
s
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
10
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
1ms
10ms
100
1
100ms
1s
10s
DC
10
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.01
0.1
1
10
100
1
0.5
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
T，脉冲宽度（ S）
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
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TM
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比，降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.01
单脉冲
t
1
t
2
o
0.001
0.0005
-4
10
R
θ
JA
= 125℃ / W
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
-1
0
1
2
3
10
-3
10
-2
10
10
10
10
10
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图13.瞬态热响应曲线
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TM
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N沟道
特点
最大
DS （ ON）
= 3.0mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 23A
最大
DS （ ON）
= 4.7MΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 18A
先进的封装和芯片组合
对于低R
DS （ ON）
和高效率
SyncFET肖特基体二极管
MSL1稳健包装设计
符合RoHS
的PowerTrench
SyncFET
TM
概述
tm
30V ， 42A ， 3.0mΩ
该FDMS8670AS已被设计为在最小化损失
电源转换应用。在这两个硅进步和
封装技术，已被合并到提供的最低
r
DS （ ON）
同时保持出色的开关性能。这
装置具有高效率的单片肖特基额外的好处
体二极管。
应用
同步整流DC / DC转换器
笔记本Vcore电压/ GPU的低边开关
负载低侧开关的网络点
电信二次侧整流
销1
S
S
D
S
G
5
6
7
8
4
3
2
1
G
S
S
S
D
D
D
D
D
D
功率56 （底视图）
D
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续（包装有限公司）
I
D
- 连续（硅有限公司）
-Continuous
-Pulsed
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
（注1A ）
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
（注1A ）
参数
评级
30
±20
42
127
23
200
384
50
2.5
-55到+150
mJ
W
°C
A
单位
V
V
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1A ）
1.6
50
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDMS8670AS
设备
FDMS8670AS
包
电源56
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000units
2007仙童半导体公司
FDMS8670AS Rev.B的
1
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FDMS8670AS的N-沟道PowerTrench
SyncFET
TM
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
I
D
= 10毫安，引用至25℃
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
30
28
500
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 10毫安，引用至25℃
V
GS
= 10V ，我
D
= 23A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 18A
V
GS
= 10V ，我
D
= 23A ，T
J
= 125°C
V
DD
= 10V ，我
D
= 23A
1.0
1.7
-5
2.4
3.5
3.5
143
3.0
4.7
4.7
S
m
3.0
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
2718
1537
343
0.9
3615
2045
515
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至10V
V
DD
= 15V,
V
GS
= 0V至4.5V
I
D
= 23A
V
DD
= 15V ，我
D
= 23A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 6
14
5
32
4
39
20
7.2
4.0
26
10
52
10
55
28
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
=2A
（注3）
0.4
39
48
0.7
63
77
V
ns
nC
I
F
= 23A ，的di / dt = 300A / μs的
注意事项：
1. R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
B 。安装在当125 °C / W
2盎司纯铜最小焊盘。
一。装在当50℃ / W的
在A 1
2
垫2盎司纯铜。
2.起始物为
J
= 25℃时，L = 3MH ，我
AS
= 16A ，V
DD
= 30V, V
GS
=10V.
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
2007仙童半导体公司
FDMS8670AS Rev.B的
2
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FDMS8670AS的N-沟道PowerTrench
SyncFET
TM
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
200
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10V
4.0
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4V
3.5
V
GS
= 3V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
160
I
D
,
漏电流（ A）
3.0
2.5
2.0
1.5
V
GS
= 10V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 4V
V
GS
= 4.5V
120
V
GS
= 3.5V
80
V
GS
= 3V
40
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
1.0
0.5
0
40
80
120
160
200
I
D
,
漏极电流（ A）
0
0
1
2
3
4
V
DS
,
漏源极电压（ V）
图1.区域特征
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
14
源导通电阻
(
m
)
1.8
归
漏极至源极导通电阻
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
I
D
= 23A
V
GS
= 10V
12
10
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
r
DS （ ON）
，沥去
I
D
= 23A
8
6
T
J
= 125
o
C
4
2
T
J
= 25
o
C
0
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
2
4
6
8
10
V
GS
,
栅极至源极电压
(
V
)
图3.归一导通电阻
VS结温
I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
100
10
T
J
= 125
o
C
V
GS
= 0V
175
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
140
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
= 5V
105
70
T
J
= 125
o
C
1
0.1
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
35
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
0.01
0
1
2
3
4
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
2007仙童半导体公司
FDMS8670AS Rev.B的
3
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FDMS8670AS的N-沟道PowerTrench
SyncFET
TM
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
10
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 23A
5000
8
6
4
2
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
电容（pF）
V
DD
= 10V
V
DD
= 15V
V
DD
= 20V
C
国际空间站
1000
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
Q
g
，栅极电荷（ NC）
30
40
100
0.1
1
10
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
140
120
I
D
,
漏电流（ A）
40
I
AS
，雪崩电流（ A）
100
V
GS
= 10V
10
T
J
= 25
o
C
80
60
40
20
不限按包
V
GS
= 4.5V
T
J
= 125
o
C
1
0.01
R
θ
JC
= 1.6 C / W
o
0.1
1
10
100
600
0
25
50
75
100
o
125
150
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
T
C
,
外壳温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
300
P
(
PK
)
,
瞬态峰值功率（ W）
图10.最大连续漏极
电流与外壳温度
2000
1000
100
I
D
，漏电流（ A）
100
s
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
10
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
1ms
10ms
100
1
100ms
1s
10s
DC
10
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.01
0.1
1
10
100
1
0.5
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
T，脉冲宽度（ S）
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
2007仙童半导体公司
FDMS8670AS Rev.B的
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FDMS8670AS的N-沟道PowerTrench
SyncFET
TM
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比，降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.01
单脉冲
t
1
t
2
o
0.001
0.0005
-4
10
R
θ
JA
= 125℃ / W
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
-1
0
1
2
3
10
-3
10
-2
10
10
10
10
10
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图13.瞬态热响应曲线
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TPS51916
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完整的DDR2， DDR3和DDR3L存储器功率解决方案同步降压
控制器， 2 -A LDO ，缓冲基准
1
特点
同步降压控制器（ VDDQ ）
- 转换电压范围： 3 V至28 V
- 输出电压范围： 0.7 V至1.8 V
– 0.8% V
REF
准确性
- 可选择的控制结构
- D- CAP 模式的快速瞬态
响应
- D- CAP2 模式的陶瓷输出
电容器
- 可选择300千赫/ 400千赫/ 500千赫/
670 kHz的开关频率
- 在轻重优化效率
负载时自动跳过功能
- 支持软关机在S4 / S5状态
- OCL / OVP / UVP / UVLO保护功能
- 电源良好输出
2 -A LDO （ VTT ） ，缓冲基准（ VTTREF ）
- 2 -A （峰值）库和源电流
- 需要陶瓷输出只有10 μF
电容
- 缓冲，低噪声， 10毫安VTTREF
产量
- 0.8 ％ VTTREF ， 20 mV的VTT精度
- 支持高-Z在S3和软关断S4 / S5
热关断
20引脚为3mm × 3mm时， QFN封装
描述
该TPS51916提供一个完整的电源
在DDR2 ， DDR3和DDR3L内存系统
最低的总成本和最小的空间。它集成了一个
同步降压型稳压器（ VDDQ ）与
2 -A汇/源追踪LDO （ VTT ）及缓冲的低
噪声基准（ VTTREF ） 。该TPS51916采用
D- CAP 模式，再加上300千赫/ 400千赫
频率易用性和快速瞬态
反应或D- CAP2 模式加上较高
为500 kHz / 670 kHz的频率，支持陶瓷
无需外部补偿的输出电容器
电路。在VTTREF跟踪中出色的VDDQ / 2
0.8 ％的精度。在VTT ，它提供2 -A
汇/源极峰值电流能力，只需要
10 μF的陶瓷电容。此外，一个
专用LDO电源输入可用。
该TPS51916提供了丰富的实用功能以及
作为出色的电源性能。它支持
灵活的电源状态控制，将VTT高-Z在
S3和放电VDDQ ， VTT和VTTREF （软
关）在S4 / S5状态。与低端可编程OCL
MOSFET
DS （ ON）
传感， OVP / UVP / UVLO和
热关断保护功能也可提供。
该TPS51916采用20引脚可为3mm × 3
毫米QFN封装，规定的环境
温度从-40 ° C到85°C 。
VIN
5VIN
保护地
TPS51916
VBST 15
12 V5IN
17 S3
16 S5
DRVH 14
SW 13
DRVL 11
6
VREF
保护地10
PGOOD 20
8
REFIN
VDDQSNS
VLDOIN
7
GND
VTT
VTTSNS
VTTGND
VTTREF
9
2
3
1
4
5
VTTREF
VTT
POWERGOOD
2
VDDQ
S3
应用
DDR2 / DDR3 / DDR3L内存电源
SSTL_18 ， SSTL_15 ， SSTL_135和HSTL
终止
保护地
S5
19 MODE
18 TRIP
UDG-10193
AGND PGND
AGND
保护地
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
D- CAP ， D- CAP2是德州仪器的商标。
版权所有2010-2012 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS51916
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
包
塑料方形扁平封装（ QFN ）
订购设备
数
TPS51916RUKR
TPS51916RUKT
引脚
20
产量
供应
磁带和卷轴
迷你盘
最低
QUANTITY
3000
250
对于最新的封装和订购信息，请参阅
封装选项附录
在这个文件的末尾，或见TI
网站：
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
民
VBST
VBST
SW
输入电压范围
(2)
VLDOIN ， VDDQSNS ， REFIN
VTTSNS
保护地， VTTGND
V5IN ， S3 ， S5 ， TRIP ， MODE
DRVH
DRVH
(3)
输出电压范围
(2)
VTTREF ， VREF
VTT
DRVL
PGOOD
结温范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
(1)
(2)
(3)
–55
(3)
单位
最大
36
6
30
3.6
3.6
0.3
6
36
6
3.6
3.6
6
6
125
150
°C
°C
V
V
–0.3
–0.3
–5
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–5
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备，在这些或超出任何其他条件的功能操作下，推荐工作指示
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于该网络的接地端子，除非另有说明。
电压值是相对于于SW端子。
热信息
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
TPS51916
QFN （ 20 ）引脚
94.1
58.1
64.3
31.8
58.0
5.9
° C / W
单位
2
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TPS51916
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推荐工作条件
民
电源电压
V5IN
VBST
VBST
(1)
SW
输入电压范围
SW
(2)
VLDOIN ， VDDQSNS ， REFIN
VTTSNS
保护地， VTTGND
S3 ， S5 ， TRIP ， MODE
DRVH
DRVH
输出电压范围
(1)
典型值
最大
5.5
33.5
5.5
28
28
3.5
3.5
0.1
5.5
33.5
5.5
33.5
3.5
3.5
5.5
5.5
85
单位
V
4.5
–0.1
–0.1
-3
–4.5
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–3
–0.1
–4.5
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–40
V
DRVH
(2)
VTTREF ， VREF
VTT
DRVL
PGOOD
T
A
(1)
(2)
工作自由空气的温度
电压值是相对于于SW端子。
此电压应适用于重复周期的不到30％。
V
°C
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电气特性
在工作自由空气的温度范围内，V
V5IN
= 5V ， VLDOIN被连接到VDDQ输出V
模式
= 0 V, V
S3
= V
S5
= 5 V
（除非另有说明）
参数
电源电流
I
V5IN(S0)
I
V5IN(S3)
I
V5INSDN
I
VLDOIN(S0)
I
VLDOIN(S3)
I
VLDOINSDN
VREF输出
I
VREF
= 30
μA,
T
A
= 25°C
V
VREF
I
VREFOCL
V
VTTREF
V
VTTREF
I
VTTREFOCLSRC
I
VTTREFOCLSNK
I
VTTREFDIS
VTT输出
V
VTT
输出电压
|I
VTT
|
≤
10毫安， 1.2 V
≤
V
VDDQSNS
≤
1.8 V，I
VTTREF
= 0 A
V
VTTTOL
输出电压容差为VTTREF
|I
VTT
|
≤
1 A, 1.2
≤
V
VDDQSNS
≤
1.8 V，I
VTTREF
= 0 A
|I
VTT
|
≤
2 A， 1.4 V
≤
V
VDDQSNS
≤
1.8 V，I
VTTREF
= 0 A
|I
VTT
|
≤
1.5 A ， 1.2 V
≤
V
VDDQSNS
≤
1.4 V，I
VTTREF
= 0 A
I
VTTOCLSRC
I
VTTOCLSNK
I
VTTLK
I
VTTSNSBIAS
I
VTTSNSLK
I
VTTDIS
VDDQ输出
V
VDDQSNS
V
VDDQSNSTOL
I
VDDQSNS
I
REFIN
I
VDDQDIS
I
VLDOINDIS
VDDQ电压感
VDDQSNS调节电压
耐受REFIN
VDDQSNS输入电流
REFIN输入电流
VDDQ放电电流
VLDOIN放电电流
T
A
= 25°C
V
VDDQSNS
= 1.8 V
V
REFIN
= 1.8 V
V
S3
= V
S5
= 0 V, V
VDDQSNS
= 0.5 V ， MODE引脚拉高
通过47千欧姆降低到GND （不跟踪）
V
S3
= V
S5
= 0 V, V
VDDQSNS
= 0.5 V ， MODE引脚拉高
通过100kΩ的下降到GND （不跟踪）
–0.1
–3
39
0.0
12
1.2
0.1
V
REFIN
3
mV
μA
μA
mA
A
源电流限制
灌电流限制
漏电流
VTTSNS输入偏置电流
VTTSNS漏电流
VTT放电电流
V
VDDQSNS
= 1.8 V, V
VTT
= V
VTTSNS
= 0.7 V，I
VTTREF
= 0 A
V
VDDQSNS
= 1.8V, V
VTT
= V
VTTSNS
= 1.1 V，I
VTTREF
= 0 A
T
A
= 25 ° C，V
S3
= 0 V, V
S5
= 5 V, V
VTT
= V
VTTREF
V
S3
= 5 V, V
S5
= 5 V, V
VTTSNS
= V
VTTREF
V
S3
= 0 V, V
S5
= 5 V, V
VTTSNS
= V
VTTREF
T
A
= 25 ° C，V
S3
= V
S5
= 0 V, V
VDDQSNS
= 1.8 V,
V
VTT
= 0.5 V，I
VTTREF
= 0 A
–0.5
–1
0.0
0
7.8
–20
–30
–40
–40
2
2
3
3
5
0.5
1
mA
μA
V
VTTREF
20
30
40
40
A
mV
V
输出电压
0
μA ≤
I
VREF
<300
μA,
T
A
= -10 ° C至85°C
0
μA ≤
I
VREF
<300
μA,
T
A
= -40 ° C至85°C
电流限制
V
VREF
= 1.7 V
VTTREF输出
输出电压
输出电压容差为V
VDDQ
源电流限制
灌电流限制
VTTREF放电电流
|I
VTTREF
| <100
μA,
1.2 V
≤
V
VDDQSNS
≤
1.8 V
|I
VTTREF
| <10毫安， 1.2 V
≤
V
VDDQSNS
≤
1.8 V
V
VDDQSNS
= 1.8 V, V
VTTREF
= 0 V
V
VDDQSNS
= 1.8 V, V
VTTREF
= 1.8 V
T
A
= 25 ° C，V
S3
= V
S5
= 0 V, V
VTTREF
= 0.5 V
49.2%
49%
10
10
0.8
18
17
1.3
V
VDDQSNS
/2
50.8%
51%
mA
mA
mA
V
1.7856
1.7820
0.4
0.8
1.8000
1.8144
1.8180
mA
V
V5IN电源电流，在S0
V5IN电源电流，在S3中
V5IN关断电流
VLDOIN电源电流，在S0
VLDOIN电源电流，在S3中
VLDOIN关断电流
T
A
= 25 ° C，无负载，V
S3
= V
S5
= 5 V
T
A
= 25 ° C，无负载，V
S3
= 0 V, V
S5
= 5 V
T
A
= 25 ° C，无负载，V
S3
= V
S5
= 0 V
T
A
= 25 ° C，无负载，V
S3
= V
S5
= 5 V
T
A
= 25 ° C，无负载，V
S3
= 0 V, V
S5
= 5 V
T
A
= 25 ° C，无负载，V
S3
= V
S5
= 0 V
590
500
1
5
5
5
μA
μA
μA
μA
μA
μA
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关模式电源（ SMPS ）频率
V
IN
= 12 V, V
VDDQSNS
= 1.8 V ，R
模式
= 100 kΩ
f
SW
VDDQ开关频率
V
IN
= 12 V, V
VDDQSNS
= 1.8 V ，R
模式
= 200 kΩ
V
IN
= 12 V, V
VDDQSNS
= 1.8 V ，R
模式
= 1 kΩ
V
IN
= 12 V, V
VDDQSNS
= 1.8 V ，R
模式
= 12 kΩ
t
开（分钟）
t
关（ MIN）的
最小导通时间
最小关断时间
DRVH上升到下降
DRVH下降至上升
(1)
300
400
500
670
60
200
320
450
ns
千赫
(1)
由设计保证。未经生产测试。
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电气特性（续）
在工作自由空气的温度范围内，V
V5IN
= 5V ， VLDOIN被连接到VDDQ输出V
模式
= 0 V, V
S3
= V
S5
= 5 V
（除非另有说明）
参数
VDDQ MOSFET驱动器
R
DRVH
R
DRVL
t
DEAD
DRVH性
资料来源，我
DRVH
= -50毫安
水槽，我
DRVH
= 50毫安
资料来源，我
DRVL
= -50毫安
水槽，我
DRVL
= 50毫安
DRVH客来DRVL上
DRVL客来DRVH上
1.6
0.6
0.9
0.5
10
20
3.0
1.5
2.0
1.2
ns
Ω
测试条件
民
典型值
最大
单位
DRVL性
死区时间
内部自举SW
V
FBST
I
VBSTLK
I
模式
正向电压
VBST泄漏电流
V
V5IN-VBST
, T
A
= 25 ° C，I
F
= 10毫安
T
A
= 25 ° C，V
VBST
= 33 V, V
SW
= 28 V
14
MODE 0-1
MODE 1-2
MODE 2-3
V
THMODE
模式阈值电压
模式3-4
MODE 4-5
MODE 5-6
MODE 6-7
V
IL
V
IH
V
IHYST
I
ILK
软启动
t
SS
VDDQ软启动时间
内部软启动时间，C
VREF
= 0.1
μF,
S5上升到V
VDDQSNS
> 0.99 ×V
REFIN
PGOOD从高
V
THPG
VDDQ PGOOD门槛
PGOOD在从下
PGOOD出更高
PGOOD出降低
I
PG
t
PGDLY
t
PGSSDLY
PGOOD灌电流
PGOOD延迟时间
PGOOD启动延时
V
PGOOD
= 0.5 V
延迟的PGOOD
延迟PGOOD出来，与100毫伏以上的驱动器
C
VREF
= 0.1
μF,
S5上升到PGOOD上升
106%
90%
114%
82%
3
0.8
1.1
ms
S3 / S5的低电平电压
S3 / S5的高电平电压
S3 / S5滞后电压
S3 / S5输入漏电流
–1
1.8
0.25
0
1
μA
109
235
392
580
829
1202
1760
0.1
0.01
0.2
1.5
V
μA
逻辑阈值
MODE源电流
15
129
255
412
600
854
1232
1800
16
149
275
432
620
879
1262
1840
0.5
V
mV
μA
PGOOD比较器
108%
92%
116%
84%
5.9
1
330
2.5
1.2
110%
94%
118%
86%
mA
ms
ns
ms
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