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LMZ12001EXT
1.最小化开关电流回路的面积。
从抑制电磁干扰的角度来看，当务之急是尽量减少在PC板布局高di / dt电流通路。高强度电流
循环不重叠的具有高di / dt特性将导致在输出管脚，如果输入观测的高频噪声
电容C
IN1
被放置在距离为LMZ12001 。因此在空间上
IN1
ASA尽可能接近的
LMZ12001EXT的VIN和GND裸露焊盘。这将最小化高di / dt区面积，从而降低辐射EMI 。此外，接地
对于输入和输出电容应包括一个连接到GND裸露焊盘（ EP ）一个局部的顶部平面的。
2.采用单点接地。
使元件的接地线的反馈，软启动，并应连接到器件的GND引脚。这
可避免开关电流或负载电流流入模拟地线中。如果处理不当，接地不良可能导致
负载调节性能降低或不稳定的输出电压纹波的行为。引脚4单点接地连接EP 。
3.尽量减少走线长度FB引脚。
反馈电阻，R
FBT
和R
FBB
和前馈电容器C
FF
应靠近FB引脚。由于FB
具有高阻抗，因此应使覆铜面积尽可能小。跟踪是从研发
FBT
, R
FBB
和C
FF
应路由
远离LMZ12001EXT的身体，以减少噪声。
4.输入输出总线连线尽可能宽。
这减少了任何电压降转换器的输入或输出，并最大限度地提高效率。为了优化电压精度
的负荷，确保一个单独的电压反馈走线到负载。这样将纠正压降和
提供最优输出精度。
5.提供充足的器件散热。
使用散热孔阵列将裸露焊盘连接到地平面下方的PCB层上。如果印刷电路板有
多个覆铜层，散热通孔同样可以用来连接内层散热接地平面。
为获得最佳结果，通过直径10mils的（ 254通过阵列使用一个6×6以最小
μm)
散热孔间距59mils （1.5毫米）。保证
足够大的覆铜面积用来散热，保持低于125°C的结温。
附加功能
输出过电压比较器
在FB的电压相比， 0.92V内部基准。如果FB上升到高于0.92V的导通时间被立即终止。这
情况被称为过电压保护（OVP） 。它可以或者发生，如果输入电压突然上升，如果输出
负载很突然下降。一旦OVP被激活，在次高端MOSFET将被禁止，直到条件清除。
此外，同步MOSFET将保持直到电感电流下降到零。
电流限制
电流限制检测时关断时间通过监测电流同步MOSFET进行。参照
功能框图，当顶部MOSFET被关断时，电感电流流过负载，PGND引脚和
内部同步MOSFET 。如果该电流超过1.5A （典型值）的电流限制比较器的下导通的开始
时间段。当FB输入电压低于0.8V ，电感电流已降低到低于下一个开关周期才会出现
1.5A 。电感电流时的时间段的同步MOSFET导通监测。只要电感电流
超过1.5A，不会发生进一步的导通时间间隔为高端MOSFET 。开关频率，限流期间，由于较低
延长了关闭时间。还应当注意的是，目前的限制取决于占空比和温度如图中
图中的典型性能部分。
热保护
该LMZ12001EXT的结温不应超过其最大额定值。热保护是im-
通过一个内部热关断电路，该电路在165 ° C（典型值） ，使设备进入低功耗待机执行完成
状态。在这种状态下，主MOSFET保持关闭使得V
O
下降，另外CSS电容对地放电。
热保护功能有助于防止灾难性故障意外的设备过热。当结点温度降低
低于145 ° C（典型Hyst = 20 ° C） ，SS引脚被释放，V
O
平稳上升，恢复正常工作。
要求最大输出电流，特别是在高输入电压时，可能需要在高温降额适用
温度。
零线圈电流检测
低端（同步） MOSFET的电流通过其抑制同步一个零线圈电流检测电路监测
MOSFET时，其电流为零，直到下一次的时间。该电路采用DCM运行模式，从而提高了
效率在轻负载。
预偏置启动
该LMZ12001EXT将正常启动进入预偏置输出。这种启动情况是多轨逻辑应用中常见的
其中，电流路径可能在启动过程中不同的电源轨之间。下面范围捕获显示正确
本次活动中的行为。
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