飞思卡尔半导体公司

技术参数

文档编号： MRF8S19260H

第1版， 2/2012

射频功率场效应晶体管

N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET

专为CDMA和多载波基站应用

频率， 1930年至1990年兆赫。可以用在AB类和C类的

所有典型的蜂窝基站调制格式。

典型的单 - 载波W - CDMA性能： V

DD

= 30伏，我

DQ

=

1600毫安，P

OUT

= 74瓦平均， IQ幅度裁剪，通道

带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率

在CCDF 。

频率

1930兆赫

1960年兆赫

1990年兆赫

G

ps

（ dB）的

17.6

18.0

18.2

η

D

(%)

33.2

33.6

34.5

PAR输出

（ dB）的

5.9

5.8

5.7

ACPR

（ DBC）

--36.0

--35.7

--34.6

MRF8S19260HR6

MRF8S19260HSR6

1930-

-1990兆赫， 74 W平均， 30 V

单W-

-CDMA

横向N-

声道

RF功率MOSFET

能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ，1960兆赫， 390瓦CW

(1)

输出功率（从额定P 3 dB输入过载

OUT

)

典型的P

OUT

@ 1 dB压缩点

245瓦CW

特点

100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力

特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数

和常见的源极S - 参数

内部匹配的易用性

集成ESD保护

更大的负栅 - 源电压范围为改良C类操作

专为数字预失真纠错系统

优化的Doherty应用

在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。

表1.最大额定值

等级

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

工作电压

存储温度范围

情况下的工作温度

工作结温

(2,3)

CW操作@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

符号

V

DSS

V

GS

V

DD

T

英镑

T

C

T

J

CW

价值

--0.5, +65

--6.0, +10

32, +0

--65到150

150

225

291

1.48

单位

VDC

VDC

VDC

°C

°C

°C

W

W / ℃，

CASE 375I-

-04

NI-

-1230-

-8

MRF8S19260HR6

CASE 375J-

-03

NI-

-1230S-

-8

MRF8S19260HSR6

北卡罗来纳州1

RF

INA

/V

GSA

2

RF

INB

/V

GSB

3

北卡罗来纳州4

（ TOP VIEW ）

8 VBW

A

7 RF

OUTA

/V

DSA

6 RF

OUTB

/V

DSB

5 VBW

B

图1.引脚连接

表2.热特性

特征

热阻，结到外壳

外壳温度85°C ， 74 W CW ， 30伏直流电，我

DQ

= 1600毫安， 1990年兆赫

外壳温度91 ° C， 260 W CW

(1)

， 30伏直流电，我

DQ

= 1600毫安， 1990年兆赫

符号

R

θJC

价值

(3,4)

0.30

0.28

单位

° C / W

1.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。

在最高温度2，连续使用会影响平均无故障时间。

3. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF

计算器按照产品。

4.参考AN1955 ，

射频功率放大器的热测量方法。

去http://www.freescale.com/rf 。

选择文档/应用笔记 - AN1955 。

飞思卡尔半导体公司， 2010年， 2012年。保留所有权利。

MRF8S19260HR6 MRF8S19260HSR6

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