飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF8S19260H
第1版， 2/2012
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为CDMA和多载波基站应用
频率， 1930年至1990年兆赫。可以用在AB类和C类的
所有典型的蜂窝基站调制格式。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 30伏，我
DQ
=
1600毫安，P
OUT
= 74瓦平均， IQ幅度裁剪，通道
带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF 。
频率
1930兆赫
1960年兆赫
1990年兆赫
G
ps
（ dB）的
17.6
18.0
18.2
η
D
(%)
33.2
33.6
34.5
PAR输出
（ dB）的
5.9
5.8
5.7
ACPR
（ DBC）
--36.0
--35.7
--34.6
MRF8S19260HR6
MRF8S19260HSR6
1930-
-1990兆赫， 74 W平均， 30 V
单W-
-CDMA
横向N-
声道
RF功率MOSFET
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ，1960兆赫， 390瓦CW
(1)
输出功率（从额定P 3 dB输入过载
OUT
)
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
245瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的源极S - 参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C类操作
专为数字预失真纠错系统
优化的Doherty应用
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(2,3)
CW操作@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
CW
价值
--0.5, +65
--6.0, +10
32, +0
--65到150
150
225
291
1.48
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
W
W / ℃，
CASE 375I-
-04
NI-
-1230-
-8
MRF8S19260HR6
CASE 375J-
-03
NI-
-1230S-
-8
MRF8S19260HSR6
北卡罗来纳州1
RF
INA
/V
GSA
2
RF
INB
/V
GSB
3
北卡罗来纳州4
（ TOP VIEW ）
8 VBW
A
7 RF
OUTA
/V
DSA
6 RF
OUTB
/V
DSB
5 VBW
B
图1.引脚连接
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度85°C ， 74 W CW ， 30伏直流电，我
DQ
= 1600毫安， 1990年兆赫
外壳温度91 ° C， 260 W CW
(1)
， 30伏直流电，我
DQ
= 1600毫安， 1990年兆赫
符号
R
θJC
价值
(3,4)
0.30
0.28
单位
° C / W
1.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。
在最高温度2，连续使用会影响平均无故障时间。
3. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
4.参考AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2010年， 2012年。保留所有权利。
MRF8S19260HR6 MRF8S19260HSR6
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2
A
IV
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 30伏直流电，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 400
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 30伏直流电，我
D
= 1600 MADC ）
夹具门静态电压
(1)
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 1600 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 4.0 ADC）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1.1
—
4.5
0.1
1.8
3.1
5.2
0.2
2.6
—
6.0
0.3
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(2)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 30伏直流电，我
DQ
= 1600毫安， P
OUT
= 74 W平均， F = 1990兆赫，
单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
16.5
32.0
5.2
—
—
18.2
34.5
5.7
--34.6
--13
19.5
—
—
--31.5
—
dB
%
dB
dBc的
dB
典型的宽带性能
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 30伏直流电，我
DQ
= 1600毫安， P
OUT
= 74 W平均，
单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
±5
MHz偏移。
频率
1930兆赫
1960年兆赫
1990年兆赫
G
ps
（ dB）的
17.6
18.0
18.2
η
D
(%)
33.2
33.6
34.5
PAR输出
（ dB）的
5.9
5.8
5.7
ACPR
（ DBC）
--36.0
--35.7
--34.6
IRL
（ dB）的
--9
--11
--13
1. V
GG
= 1.6× V
GS （ Q）
。参数测量飞思卡尔测试夹具，由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路
原理图。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
（续）
MRF8S19260HR6 MRF8S19260HSR6
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
IMD对称性@ 220 W PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
30 dBc的（三角洲IMD三阶互调
上，下边带> 2分贝）之间
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 74 W魅力。
增益随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
输出功率随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
(1)
符号
P1dB
IMD
符号
民
—
—
—
—
—
—
典型值
245
15
75
0.6
0.014
0.011
最大
—
—
—
—
—
—
兆赫
dB
分贝/°C的
分贝/°C的
单位
W
兆赫
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 30伏直流电，我
DQ
= 1600毫安， 1930--1990 MHz带宽
VBW
水库
G
F
G
P1dB
1.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。
MRF8S19260HR6 MRF8S19260HSR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C5
R1
R2
C4
R3
C10 C11
C12
C22
C8
C9
C13*
切出区
C2*
C3*
C1
R7
R5
R6
C7
C6
R4
C15*
C16*
C14*
C24*
MRF8S19260
第0版
C17
C18
C21
C19 C20
C23
* C2，C3， C13 ，C14， C15 ，C16，和C24被垂直地安装。
图2. MRF8S19260HR6 （ HSR6 ）测试电路元件布局
表5. MRF8S19260HR6 （ HSR6 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C3, C5, C7, C8, C18
C4, C6
C9, C17
C10, C11, C12, C19, C20, C21
C13, C14
C15, C16
C22, C23
C24
R1, R2, R5, R6
R3, R7
R4
PCB
描述
1.8 pF的贴片电容
8.2 pF的贴片电容
6.8
μF,
50 V贴片电容
2.2
μF,
50 V贴片电容
10
μF
贴片电容
0.3 pF的贴片电容
9.1 pF的贴片电容
330
μF,
63 V电解电容器
1.2 pF的贴片电容
10 k 1/4 W贴片电阻
4.75
,
1/4 W贴片电阻
2.37
,
1/4 W贴片电阻
0.020″,
ε
r
= 3.5
产品型号
ATC100B1R8BT500XT
ATC100B8R2CT500XT
C4532X7R1H685KT
C3225X7R1H225KT
GRM55DR61H106KA88L
ATC100B0R3BT500XT
ATC100B9R1CT500XT
MCRH63V337M13X21--RH
ATC800B1R2BT500XT
CRCW120610K0JNEA
CRCW12064R75FNEA
CRCW12062R37FNEA
RO4350B
生产厂家
ATC
ATC
TDK
TDK
村田
ATC
ATC
MULTICOMP
ATC
日前，Vishay
日前，Vishay
日前，Vishay
罗杰斯
MRF8S19260HR6 MRF8S19260HSR6
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
V
DD
= 30伏直流电，P
OUT
= 74 W（平均） ，我
DQ
= 1600毫安
单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道
带宽输入信号的PAR = 7.5 dB的
CCDF上0.01 ％的概率
η
D
，沥干
效率（％）
20
19.5
19
G
ps
，功率增益（分贝）
18.5
18
17.5
17
16.5
16
15.5
15
1880
1900
1920
ACPR
1940
1960
1980
2000
2020
G
ps
IRL
公园
36
η
D
35
34
33
32
--30.5
--32
ACPR （ DBC）
--33.5
--35
--36.5
IRL ，输入回波损耗（分贝）
--5
--7
--9
--11
--13
--15
--1
--1.3
--1.6
--1.9
--2.2
--2.5
PARC （分贝）
--38
2040
男，频率（MHz）
图3.输出峰值 - - 平均比例压缩（ PARC ）
- 到 -
宽带性能@ P
OUT
= 74瓦的魅力。
--10
--20
--30
--40
--50
--60
IM7--L
1
10
TWO - TONE间隔（MHz ）
IM7--U
100
IM5--U
IM5--L
IMD ，互调失真（ DBC）
V
DD
= 30伏直流电，P
OUT
= 220 W（ PEP ） ，我
DQ
= 1600毫安
两个 - 音频测量
（ F1 + F2） 1960年兆赫/ 2 =中心频率
IM3--U
IM3--L
图4.互调失真产品
与两
-Tone间距
18.7
输出压缩0.01 ％
概率ON CCDF （分贝）
18.5
G
ps
，功率增益（分贝）
18.3
18.1
17.9
17.7
17.5
1
0
--1
--1分贝= 57 W
--2
--3
--4
--5
--2分贝= 80瓦
--3分贝= 108 W
V
DD
= 30伏直流电，我
DQ
= 1600毫安， F = 1960 MHz的单 - 载波
W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽，输入信号
在CCDF PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
20
40
60
80
100
27
22
17
12
42
37
公园
ACPR
32
--25
--30
--35
--40
--45
--50
--55
ACPR （ DBC）
G
ps
η
D
120
P
OUT
，输出功率（瓦）
图5.输出峰值 - - 平均比
- 到 -
压缩（ PARC ）与输出功率
MRF8S19260HR6 MRF8S19260HSR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
η
D
,
排水 FFI效率（ ％ ）
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