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ISL21440
模拟特定网络阳离子
符号
PSRR
温度范围-40 ° C至+ 125°C 。
（续）
参数
电源抑制比
V + = 2V至11V
V + = + 5.0V 。 V- = GND = 0V ，除非另有规定，T
A
= + 25°C 。黑体字限额适用于操作
民
（注10 ）
典型值
（注9 ）
0.25
最大
（注10 ）
1.1
1.2
TDFN封装
0.25
1.5
1.6
V
HYST
t
PHL
迟滞的输入电压
传输延迟 - 高到低转移C
L
= 100pF的
过驱动= 10mV的
超速= 100mV的
t
PLH
传输延迟 - 从低到高转移C
L
= 100pF的
过驱动= 10mV的
超速= 100mV的
V
OH
V
OL
输出高电压
输出低电压
I
O
= -10mA
I
O
= 3毫安
(V+) - 0.4
GND + 0.4
REF - 50mV的
100
50
200
100
REF
测试条件
MSOP封装
单位
mV / V的
mV / V的
mV / V的
mV / V的
V
s
s
s
s
V
V
参考
V
REF
ΔV
REF
参考电压
输出负载调整
空载
0
≤
I
来源
≤
2mA
1.176
-0.5
1.188
-2.0
-2.5
0
≤
I
SINK
≤
10A
0.1
2.0
2.5
V
mV
mV
mV
mV
模拟特定网络阳离子
符号
V + = + 3.0V 。 V- = GND = 0V ，除非另有规定，T
A
= + 25°C 。黑体字限额适用于操作
温度范围-40 ° C至+ 125°C 。
参数
测试条件
民
（注10 ）
典型值
（注9 ）
最大
（注10 ）
单位
V + = 3.0V ，V = GND = 0V
I
CC
电源电流
IN + IN- = + 80mV的，
HYST = REF
0.40
0.7
0.8
A
A
比较
V
OS
输入失调电压
V
CM
= 1.5V
MSOP封装
±2.3
±3.4
±3.5
TDFN封装
±2.3
±4.2
±4.3
IIN
输入漏电流（IN + ， IN- ， HYST ）
V
IN +
= V
IN-
= 1.5V
0.1
1.1
3
V
CM
CMRR
共模输入范围
共模抑制比
V-为（V + - 1.5V ）
MSOP封装
V-
1.2
(V+) - 1.5
5
5.5
TDFN封装
1.2
7.5
8
mV
mV
mV
mV
nA
nA
V
mV / V的
mV / V的
mV / V的
mV / V的
6
FN6532.2
2011年2月23日
