ISL21440
绝对最大额定值
电源电压范围，V +和GND之间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 12V
IN +，IN-与尊重到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到（V +） + 0.3V
GND相对于V-。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6.0V至-0.3V
V +相对于V-。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V至-0.3V
REF ， HYST相对于V-。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至1.5V
出相对于GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （V + ） + 0.3V至-0.3V
电压上的所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
CC
+ 0.3V
ESD额定值
人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4000V
机器型号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350V
带电器件模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2000V
闩锁（测试每JESD - 78B ; 1级， A级） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
8引脚MSOP封装（注5,7） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
154
55
8 Ld的TDFN封装（注5,6） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
68
8
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊温度曲线（注8 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见下面的链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
推荐工作条件
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.7V至5.5V
环境工作条件
X射线曝光（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10mRem
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露在这样的条件下可能会产生不利影响的产品
在出现故障的可靠性和结果的不在保修范围内。
注意事项：
4.测量，没有过滤，距离为10 “，从源头，强度设置为55KV及电流70mA ，持续时间30秒。其他暴露水平应
输出电压漂移的影响进行分析。请参阅“应用信息”第11页。
5.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
6.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
7.对于
θ
JC
，在“临时情况”位置采取包顶部中心。
8.回流焊后漂移的ISL21440器件的参考电压输出的基础上对设备的实验结果范围为100mV至1.0mV
FR4双面电路板。考虑到组装后的基准电压时，设计工程师必须考虑到这一点。
模拟特定网络阳离子
温度范围-40 ° C至+ 125°C 。
符号
V + = + 5.0V 。 V- = GND = 0V ，除非另有规定，T
A
= + 25°C 。黑体字限额适用于操作
民
（注10 ）
典型值
（注9 ）
最大
（注10 ）
参数
测试条件
单位
电源
V
+
I
CC
电源电压范围
电源电流
V- = GND
IN + IN- = + 80mV的，
HYST = REF
2.0
0.46
11.0
0.75
0.85
V
A
A
比较
V
OS
输入失调电压
V
CM
= 2.5V
MSOP封装
±3
±3.25
TDFN封装
±3.6
±3.75
IIN
输入漏电流（IN + ， IN- ， HYST ）
V
IN +
= V
IN-
= 2.5V
MSOP封装
TDFN封装
0.1
0.1
1.4
1.5
3
V
CM
CMRR
共模输入范围
共模抑制比
V-为（V + - 1.5V ）
MSOP封装
V-
1.2
(V+) - 1.5
3
3.5
TDFN封装
1.2
4.5
5
mV
mV
mV
mV
nA
nA
nA
V
mV / V的
mV / V的
mV / V的
mV / V的
5
FN6532.2
2011年2月23日
