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16 bit 模数½换器
TM7715
输入模拟电压不应超过 V
DD
+30mV,不应½于 GND-30mV。GND-200mV 的输入电压也可采用,
½高温时漏电流将增加。
VREF = REF IN ( + ) -REF IN( - )
只有½加½½一个 CMOS 负½½时,这些逻辑输出电平才适用于 MCLK OUT。
+25℃时测试样品,以保证一致性。
校准后,如果模拟输入超过正满标度,½换器将输出全 1,如果模拟输入½于负满标度,将输出全 0。
在模拟输入端所加校准电压的极限不应超过 V
DD
+为30mV或负于GND -30mV 。
½用晶½或陶瓷谐振器½为器件的时钟源时 (通过 MCLK 引脚 )
DD
电流和功耗随晶½和谐振
,V
器的类型而变化 (见“时钟和振荡器电路”部分)
在等待模式下,
外部的主时钟继续运行, 电压时等待电流增加到 150 μ A, 电压时增加到 75
5V
3V
μ A。½用晶½或陶瓷谐振器½为器件的时钟源时,内部振荡器在等待模式下继续运行,电源电流
功耗随晶½和谐振器的类型而变化 (参看“等待模式”一节)
在直流状态测量,适用于选定的通频带.50Hz时, PSRR超过120分贝(滤波器陷波为25Hz的或
50赫兹), 60赫兹时, PSRR超过120分贝(滤波器陷波为20Hz的或60Hz)的
PSRR由增益和VDD决定,如下:
增益
V
DD
=3V
V
DD
=5V
1
86
90
2
78
78
32
92
90
128
93
91
八、定时参数
(V
DD
= + 2.7V + 5.2V ; GND = 0V ; F
CLKIN
= 2.4567MHz ;输入逻辑0 = 0 V ,逻辑1 = V
DD
除非
另有说明)
参数
f
CLKIN3,4
在T限制
,T
最大
(B版)
400
2.5
单位
kHzmin
兆赫最大
ns(最小值)
ns(最小值)
NS周一
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
条件/评论
主时钟频率:晶体振荡器或
外部提供
对于指定的性能
主时钟输入低电平时间。吨
CLKIN
=1/ f
CLKIN
主时钟输入高电平时间。
DRDY的时候了
RESETPulsewidth
DRDY到CS建立时间
CS下降沿到SCLK上升沿建立时间
SCLK下降沿到数据有效延迟
V
DD
=+5V
V
DD
=+3.0V
SCLK高脉冲宽度
SCLK低脉冲宽度
9
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t
CLKIN LO
t
CLKIN HI
t
1
t
2
0.4×t
CLKIN
0.4×t
CLKIN
500×t
CLKIN
100
0
120
0
80
100
读操作
t
3
t
4
t
55
t
6
t
7
100
100
泰坦微电子
V1.1

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