L6919E
设备描述
该装置是实现BCD工艺的集成电路。它提供了完整的控制逻辑和保护
一个高性能的双相降压型DC -DC转换器为微处理器供电优化。这是DE-
签约驱动N沟道MOSFET的双相同步整流降压拓扑结构。一个180度相移
这两个阶段，允许减少在所述输入电容器的纹波电流，也减小了尺寸和之间设置
的损失。转换器的输出电压可精确调节，编程的VID针脚，从0.825V至
1.575V以25mV为二进制的步骤，具有± 0.6 ％，在温度和电源电压变化的最大公差。该
设备会自动调节为25mV比锤DAC避免使用任何外部设置电阻高。
该设备管理上的即时VID代码更改步进到新的配置下，没有的VID表
需要的外部元件。该器件可提供的平均电流模式控制，具有快速的瞬态响应。它
包括一个150kHz的自由运行的振荡器。误差放大器具有15V / μs的转换速率，允许高转换
带宽提供快速瞬态性能。目前的信息看跨下的MOSFET的RDSON或跨
检测电阻在全差分模式。当前的信息校正所述PWM输出，以便均衡所述AV-
每个阶段进行erage电流。两相之间的电流分配，然后限定在±10％以上的静态和
动态条件。该装置可以防止过流，为每个阶段的业主立案法团的门槛，进入IN连接
恒流模式。由于电流读出跨越低侧的MOSFET ，该恒定电流保持恒定的
电感器电流的三角波形的底部。当一个欠电压检测装置闩锁，该
FAULT引脚驱动为高电平。该器件还进行过电压保护立即禁用该设备开启
荷兰国际集团在较低的驱动器和驱动高FAULT引脚。
振荡器
开关频率在内部固定为150kHz的。各相工作在固定的振荡器的频率，使
所得到的开关频率在负荷侧产生加倍。
内部振荡器生成用于PWM充电三角波形和以恒定电流放电
租一个内部电容。电流输送到所述振荡器通常为25甲（FSW = 150kHz的），并且可以改变
使用连接在OSC引脚与GND或VCC外部电阻（ ROSC ） 。由于OSC引脚被保持在
固定电压（典型值1.237V ） ，所述频率成比例地变化，以当前的沉没（强制）从（到）的针连接
sidering 6KHZ / μA的内部增益。
特别是将其连接到GND的频率增加（电流从销沉没），而连接ROSC
到Vcc = 12V频率降低（电流被迫进入针） ，根据下面的关系式：
的kH
1.237
7.422
10
-
-
R
SC
与GND ：F
S
=
150千赫
+ ---------------
6
---------- =
150kHz
+ -----------------------------
A
R
(
K
)
R
SC
SC
7
6
12
–
1.237千赫
6.457
10
-
-
R
SC
与12V ：F
S
=
150kHz
– --------------------------
6
---------- =
150千赫
– -----------------------------
-
A
R
SC
R
SC
(
K
)
需要注意的是迫使一25μA到这个引脚上时，器件停止开关，因为没有电流输送到振荡器。
图1。R
OSC
与开关频率
14000
800
ROSC （K
）与GND
12000
700
600
500
400
300
200
100
0
150
ROSC （K
）与12V
10000
8000
6000
4000
2000
0
25
50
75
100
125
150
250
350
450
550
650
频率（kHz ）
频率（kHz ）
8/33
