L6919E
图3.驱动峰值电流：高压侧（左）和低端（右）
CH3 = HGATE1 ; CH4 = HGATE2
CH3 = LGATE1 ; CH4 = LGATE2
以允许在低侧的MOSFET ，即使在这种情况下的转动，一个看门狗控制器是否已启用：如果源
高边MOSFET的不降超过240ns ，低侧MOSFET接通，以便让neg-
电感ative电流再循环。这种机制允许，如果当前是系统来调节，即使
消极的。
该BootX的和VCCDR销钉从IC的电源（ VCC引脚）以及信号地（ SGND分离
销），并以最大限度的开关噪声免疫力功率地（ PGND引脚） 。分离的供电
对于不同的驱动程序使在场效应晶体管的选择高灵活性，允许使用的逻辑电平的MOSFET 。几个的COM
供应bination可以选择以优化应用程序的性能和效率。电源转换
也是灵活; 5V或12V总线可以自由选择。
峰值电流示出了用于上部和两相的图3， 10nF的capac-下级驱动程序
可持续的竞争负载已被使用。对于上驱动程序，源电流为1.9A ，而灌电流为1.5A与
V
BOOT -VPHASE
= 12V ;类似地，对于较低的驱动，源极电流为2.4A ，而信宿电流为2A与
VCCDR = 12V 。
当前的读数和过电流
电流流动槽的各相在使用横跨低侧MOSFET的r中的电压降读
DSON
or
整个检测电阻（R
SENSE
）及内部转换成电流。发出陈德良导率
由外部电阻器RG放置ISENx和PGNDSx销朝向阅读点之间的芯片的外部。
全差动电流读数拒绝噪音，并允许把传感元件在与 - 不同地点
出影响测量的准确性。当前的读电路读出当前在在时
其中，低侧MOSFET导通时（关闭时间） 。在此期间，将反应保持销ISENx和PGNDSx
在相同的电压，同时在其中读出电路处于关闭状态时，一个内部夹持保持这两个
在从ISENx同一电压下沉销针所需的电流（如果所需低侧MOSFET的
DSON
感觉被实施，以避免绝对最大额定值克服ISENx引脚）。
专有的电流读出电路可以非常精确和高带宽读数为正和
负电流。此电路再现用高速流动的电流通过感测元件
追踪&保持陈德良导放大器。特别是，它读取当前在断开的第二半
时间减少噪声注入到器件中，由于MOSFET的导通（参见图4） 。跟踪时间必须至少为
为200ns ，使电流提供适当的阅读
该电路源从PGNDSx引脚的恒定电流50μA ，并保持引脚ISENx和PGNDSx在
相同的电压。参照图4 ，这在ISENx销中流动的电流由下面再给出
公式：
R
SENSE
I
相
I
ISENX
=
50A
+ ---------------------------------------------- =
50 A
+
I
信息X
R
g
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