恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTC115E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
100
100
马克斯。
50
20
单位
V
mA
kΩ
kΩ
NPN配备电阻晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115EM
PDTC115ES
PDTC115ET
PDTC115EU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
46
49
56
DV
TC115E
*44
(1)
*15
(1)
PDTA115EE
PDTA115EEF
PDTA115EK
PDTA115EM
PDTA115ES
PDTA115ET
PDTA115EU
标识代码
PNP补充
2004年8月06
2
