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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第789页 > PDTC115EU
分立半导体
数据表
PDTA115E系列
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
产品speci fi cation
取代2004年05月05数据
2004年7月30日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTA115E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
100
100
马克斯。
50
20
单位
V
mA
k
k
PNP电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTA115EE
PDTA115EEF
PDTA115EK
PDTA115EM
PDTA115ES
PDTA115ET
PDTA115EU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
5E
6B
62
F6
TA115E
* AB
(1)
*7C
(1)
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115EM
PDTC115ES
PDTC115ET
PDTC115EU
标识代码
NPN补
2004年7月30日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
简化外形，象征与钉扎
PDTA115E系列
钉扎
类型编号
PDTA115ES
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM338
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTA115EE
PDTA115EEF
PDTA115EK
PDTA115ET
PDTA115EU
1
顶视图
2
MDB271
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTA115EM
手册， halfpage
1
2
3
R1
3
1
底部视图
MDB267
BASE
辐射源
集热器
3
2
1
R2
2
2004年7月30日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
订购信息
包
类型编号
名字
PDTA115EE
PDTA115EEF
PDTA115EK
PDTA115EM
PDTA115ES
PDTA115ET
PDTA115EU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTA115E系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT23
SOT54
SOT323
SOT346
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
65
65
250
500
200
250
150
250
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
+10
40
20
100
V
V
mA
mA
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
马克斯。
50
50
10
V
V
V
单位
2004年7月30日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
热特性
符号
R
号（j -a）的
SOT23
SOT54
SOT323
SOT346
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
°C
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
=
10
V;
F = 1 MHz的
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
5
V ;我
C
=
5
mA
I
C
=
5
毫安;我
B
=
0.25
mA
I
C
=
100 A;
V
CE
=
5
V
I
C
=
1
毫安; V
CE
=
0.3
V
参数
从结点到环境的热阻
条件
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
PDTA115E系列
价值
500
250
625
500
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
80
3
70
0.8
典型值。
1.2
1.6
100
1
马克斯。
100
1
50
50
150
0.5
130
1.2
3
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
2004年7月30日
5
分立半导体
数据表
PDTC115E系列
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
产品speci fi cation
取代2004年的数据4月6日
2004年8月06
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTC115E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
100
100
马克斯。
50
20
单位
V
mA
k
k
NPN配备电阻晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115EM
PDTC115ES
PDTC115ET
PDTC115EU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
46
49
56
DV
TC115E
*44
(1)
*15
(1)
PDTA115EE
PDTA115EEF
PDTA115EK
PDTA115EM
PDTA115ES
PDTA115ET
PDTA115EU
标识代码
PNP补充
2004年8月06
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
简化外形，象征与钉扎
PDTC115E系列
钉扎
类型编号
PDTC115ES
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM364
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115ET
PDTC115EU
1
顶视图
2
MDB269
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTC115EM
手册， halfpage
1
2
3
R1
1
3
1
底部视图
MHC506
BASE
辐射源
集热器
3
2
R2
2
2004年8月06
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
订购信息
包
类型编号
名字
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115EM
PDTC115ES
PDTC115ET
PDTC115EU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC115E系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT883
SOT490
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
储存温度
结温
工作环境
温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1和2
65
65
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
+40
10
20
100
V
V
mA
mA
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
50
50
10
马克斯。
V
V
V
单位
2004年8月06
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
热特性
符号
R
号（j -a）的
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT833
SOT490
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
= 10 V;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 0.3 V
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1和2
PDTC115E系列
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
80
3
70
0.8
典型值。
1.1
1.5
100
1
马克斯。
100
1
50
50
150
0.5
130
1.2
2.5
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
2004年8月06
5
汽车小信号
分立器件解决方案
我们的创新产品组合推动未来
汽车
通过增强的功能简化了设计
从单个产品提供更多的功能，我们帮助
缩短开发时间。只需几个小信号分立器件数
电路块可以构建和与之不同的数
对帐单，材料成分可以降低显着。
我们的小信号分立器件产品组合提供了动力和性能
水平以前只有更大的包，允许相关
你用更紧凑的替代中等功率产品
替代品。因为你现在可以得到高性能
晶体管和二极管的低成本小信号的包，就可以
显着降低成本。无论是卓越的ESD保护或
loadswitch的功能集成到单个组件
我们的投资组合可以更容易地设计出一个新的系统。
2
小信号分立器件解决方案
作为汽车制造商努力提高安全性，性能，舒适性和
燃料 - 英法fi效率水平，车辆的半导体含量上升和电子
系统正变得越来越复杂。因此，系统供应商必须满足
日益严格的要求。在这两种汽车的基础上我们的专业知识
和小信号分立器件解决方案，飞利浦提供了一个广泛的离散组合
组件，帮助供应商达到严格和多样化的技术要求
在汽车电子。宽范围，使汽车设计者是
灵活的在他们的设计中。通过集成产品的手段的部件数
降低，从而可以降低成本。
我们的所有新产品发布在著名的SOT23封装，
以及在像SOT323 （SC- 70） ， SOD323更小封装（SC- 76）
和SOD323F （ SC - 90 ） 。为了支持朝着一体化的趋势也
多个晶体管和二极管可集成到只是一个
单包像SOT457 （ SC - 74）和SOT363 （ SC - 88 ） 。
飞利浦拥有全部到位的技术引领小信号的方式
分立器件产品，让开发汽车应用
将驱动未来。
关键的家庭
- 低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
- 电阻 - 配备晶体管（分辨率增强技术）
- 复杂的分立器件
BISS Loadswitches
匹配的晶体管配对
MOSFET驱动器
- 低V
F
（ MEGA ）肖特基整流器器
- ESD保护二极管
重点班妮科幻TS
- 更多的权力
- 降低成本
- 更多功能
- 提高可靠性
- 汽车包
3
低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
这些突破性小信号（ BISS ）晶体管提供最好的一流的
因此，英法fi效率，得到了热出您的应用程序。这些成本效益
替代中等功率晶体管提供1 - 5 SOT223的一种功能
（ SC - 73 ） ， SOT89 （ SC - 62 ） ， SOT23和SOT457 （ SC - 74 ） 。
主要特点
- 减少热和电抗性
- 高达5 A集电极电流能力我
C
- 高达10 A的峰值集电极电流I
CM
- 高性能boardspace比
- 高电流增益
FE
- 即使在高我
C
- 可用的产品范围广泛
重点班妮科幻TS
- 减少热量的产生，因此，在使用
高温环境下可能
- 成本效益的替代介质
功率晶体管
- 小信号性能提高
离散足迹
VCC
调节器
MSD923
DC / DC转换器
主要应用领域
- 应用中的热量是一个问题
（例如引擎 - 或仪表板安装
组件）
- 高和低侧开关，例如在控制
单位
- 司机在低电源电压应用，
例如风机，电机
- 感性负载的驱动程序，例如继电器，蜂鸣器
- MOSFET驱动器
减少热量的产生与BISS晶体管
SOT223 ：我
C
= 1.55 ;我
B
= 0.1 A; PCB的FR4 + 1厘米
2
Cu
BCP51 ，T
j
= 130°C
PBSS9110Z ，T
j
= 103°C
SOT223 （ SC- 73 ）
PBSS5350Z ，T
j
= 60°C
SOT89 （ SC- 62 ）
PBSS5540Z ，T
j
= 45°C
SOT23
SOT457 （ SC- 74 ）
P
合计
2000毫瓦
I
C
(A)
V
首席执行官
(V)
30
1.0
40
60
100
30
2.0
40
50
20
30
3.0
50
60
80
100
4.0
5.0
40
80
20
PBSS4540Z
PBSS5540Z
PBSS4350Z
PBSS5350Z
PBSS8110Z
PBSS9110Z
NPN
PNP
P
合计
1300毫瓦
NPN
PNP
NPN
P
合计
480毫瓦
PNP
PBSS5130T
PBSS5140T
PBSS5160T
PBSS9110T
PBSS5230T
PBSS5240T
PBSS5350T
NPN
PBSS4130T
PBSS4140T
PBSS4160T
PBSS8110T
PBSS4230T
PBSS4240T
P
合计
750毫瓦
PNP
PBSS4140DPN （ NPN / PNP ）
PBSS8110D
PBSS9110D
PBSS4240DPN （ NPN / PNP ）
PBSS4250X
PBSS4320X
PBSS4330X
PBSS4350X
PBSS5250X
PBSS5320X
PBSS5330X
PBSS5350X
PBSS4350T
PBSS4350D
PBSS303ND
PBSS304ND
PBSS305ND
PBSS5350D
PBSS303PD
PBSS304PD
PBSS305PD
PBSS5440D
PBSS4540X
PBSS4480X
PBSS4520X
PBSS5540X
PBSS5480X
PBSS5520X
PBSS4440D
4
电阻配备晶体管（分辨率增强技术）
为汽车行业开发特别是， 500毫安可再生能源技术相结合的晶体管
用两个电阻来提供用于数字应用的最佳解决方案集成
车载系统，例如控制单元。也有单一个广泛的产品组合
和双百毫安可再生能源技术可用于标准的小信号数字化应用。
主要特点
- 集成的晶体管和两个电阻
一包
- 初始500毫安组合与几个电阻
SOT23和SOT346组合（ SC- 59A ）
- 进一步电阻器组合和双
版本计划
重点班妮科幻TS
- 降低处理成本和库存成本
- 减少boardspace要求
- 更短的安装时间并减少
拾取和放置的努力
- 简单的设计过程
- 提高最终产品的可靠性，由于
更少的焊接点
SOT23
SOT346 （ SC- 59A ）
动力
供应
R4
R3
控制
输入
R1
R2
Tr2
Tr1
RLOAD
高边开关
bra182
主要应用领域
- 数字化应用
- 开关负载，如对于仪表板
- 控制IC的输入，例如发动机
控制单元
500毫安可再生能源技术
I
C
MAX 。 （MA ）
500
V
首席执行官
MAX 。 （V ）
50
R1 （ kΩ的）
1
2.2
1
2.2
R2值（kΩ ）
1
2.2
10
10
NPN
PDTD113ET
PDTD123ET
PDTD113ZT
PDTD123YT
PNP
PDTB113ET
PDTB123ET
PDTB113ZT
PDTB123YT
NPN
PDTD113EK
PDTD123EK
PDTD113ZK
PDTD123YK
PNP
PDTB113EK
PDTB123EK
PDTB113ZK
PDTB123YK
SOT363 （ SC -88 ）
百毫安可再生能源技术
SOT23
SOT323 （ SC- 70 ）
CON组fi guration
I
C
MAX 。 （MA ）
V
首席执行官
MAX 。 （V ）
R1 （ kΩ）连接R2 （千欧）
2.2
R1 = R2
4.7
10
22
47
100
2.2
2.2
4.7
R1
≠
R2
100
50
4.7
10
22
47
47
2.2
只有R1
4.7
10
22
47
100
2.2
4.7
10
22
47
100
10
47
10
47
47
47
10
22
-
-
-
-
-
-
NPN
PDTC123ET
PDTC143ET
PDTC114ET
PDTC124ET
PDTC144ET
PDTC115ET
PDTC123YT
PDTC123JT
PDTC143XT
PDTC143ZT
PDTC114YT
PDTC124XT
PDTC144VT
PDTC144WT
PDTC123TT
PDTC143TT
PDTC114TT
PDTC124TT
PDTC144TT
PDTC115TT
PNP
PDTA123ET
PDTA143ET
PDTA114ET
PDTA124ET
PDTA144ET
PDTA115ET
PDTA123YT
PDTA123JT
PDTA143XT
PDTA143ZT
PDTA114YT
PDTA124XT
PDTA144VT
单身
NPN
PDTC123EU
PDTC143EU
PDTC114EU
PDTC124EU
PDTC144EU
PDTC115EU
PDTC123YU
PDTC123JU
PDTC143XU
PDTC143ZU
PDTC114YU
PDTC124XU
PDTC144VU
PDTC144WU
PDTC123TU
PDTC143TU
PDTC114TU
PDTC124TU
PDTC144TU
PDTC115TU
PNP
PDTA123EU
PDTA143EU
PDTA114EU
PDTA124EU
PDTA144EU
PDTA115EU
PDTA123YU
PDTA123JU
PDTA143XU
PDTA143ZU
PDTA114YU
PDTA124XU
PDTA144VU
PDTA144WU
PDTA123TU
PDTA143TU
PDTA114TU
PDTA124TU
PDTA144TU
PDTA115TU
PUMH17
PUMH30
PUMH7
PUMH4
PUMH19
PUMH14
PUMH10
PUMH18
PUMH13
PUMH9
PUMH16
NPN / NPN
PUMH20
PUMH15
PUMH11
PUMH1
PUMH2
PUMH24
双
NPN / PNP
PUMD20
PUMD15
PUMD3
PUMD2
PUMD12
PUMD24
PUMD10
PUMD18
PUMD13
PUMD9
PUMD16
PUMD17
PUMD30
PUMD6
PUMD4
PUMD19
PUMD14
PNP / PNP
PUMB20
PUMB15
PUMB11
PUMB1
PUMB2
PUMB24
PUMB10
PUMB18
PUMB13
PUMB9
PUMB16
PUMB17
PUMB30
PUMB3
PUMB4
PUMB19
PUMB14
PDTA144WT
PDTA123TT
PDTA143TT
PDTA114TT
PDTA124TT
PDTA144TT
PDTA115TT
5
分立半导体
数据表
PDTC115E系列
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
产品数据表
取代2004年的数据4月6日
2004年8月06
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTC115E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
100
100
马克斯。
50
20
单位
V
mA
kΩ
kΩ
NPN配备电阻晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115EM
PDTC115ES
PDTC115ET
PDTC115EU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
46
49
56
DV
TC115E
*44
(1)
*15
(1)
PDTA115EE
PDTA115EEF
PDTA115EK
PDTA115EM
PDTA115ES
PDTA115ET
PDTA115EU
标识代码
PNP补充
2004年8月06
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
简化外形，象征与钉扎
PDTC115E系列
钉扎
类型编号
PDTC115ES
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM364
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115ET
PDTC115EU
1
顶视图
2
MDB269
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTC115EM
手册， halfpage
1
2
3
R1
1
3
1
底部视图
MHC506
BASE
辐射源
集热器
3
2
R2
2
2004年8月06
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
订购信息
包
类型编号
名字
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115EM
PDTC115ES
PDTC115ET
PDTC115EU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC115E系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT883
SOT490
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
储存温度
结温
工作环境
温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1和2
65
65
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
+40
10
20
100
V
V
mA
mA
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
50
50
10
马克斯。
V
V
V
单位
2004年8月06
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
热特性
符号
R
号（j -a）的
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT833
SOT490
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
= 10 V;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
I
C
= 100
μA;
V
CE
= 5 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 0.3 V
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1和2
PDTC115E系列
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
80
3
70
0.8
典型值。
1.1
1.5
100
1
马克斯。
100
1
50
50
150
0.5
130
1.2
2.5
单位
nA
μA
μA
μA
mV
V
V
kΩ
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
pF
2004年8月06
5
分立半导体
数据表
PDTC115E系列
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
产品speci fi cation
取代2004年的数据4月6日
2004年8月06
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTC115E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
100
100
马克斯。
50
20
单位
V
mA
k
k
NPN配备电阻晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115EM
PDTC115ES
PDTC115ET
PDTC115EU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
46
49
56
DV
TC115E
*44
(1)
*15
(1)
PDTA115EE
PDTA115EEF
PDTA115EK
PDTA115EM
PDTA115ES
PDTA115ET
PDTA115EU
标识代码
PNP补充
2004年8月06
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
简化外形，象征与钉扎
PDTC115E系列
钉扎
类型编号
PDTC115ES
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM364
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115ET
PDTC115EU
1
顶视图
2
MDB269
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTC115EM
手册， halfpage
1
2
3
R1
1
3
1
底部视图
MHC506
BASE
辐射源
集热器
3
2
R2
2
2004年8月06
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
订购信息
包
类型编号
名字
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115EM
PDTC115ES
PDTC115ET
PDTC115EU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC115E系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT883
SOT490
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
储存温度
结温
工作环境
温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1和2
65
65
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
+40
10
20
100
V
V
mA
mA
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
50
50
10
马克斯。
V
V
V
单位
2004年8月06
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 100千欧， R2 = 100 kΩ的
热特性
符号
R
号（j -a）的
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT833
SOT490
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
= 10 V;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 0.3 V
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1和2
PDTC115E系列
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
80
3
70
0.8
典型值。
1.1
1.5
100
1
马克斯。
100
1
50
50
150
0.5
130
1.2
2.5
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
2004年8月06
5
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推荐型号
PP1300SA-LF-T
PC322-05AL
PM505CE
PAL18C1AJ
PGT60106
PSD4235F3-B-70UI
PSD833F3-12M
PAL20L10V
P54FCT841BDM
PPG33F-6MC3
P6SMB6_07
PSD4135G2-C-15J
PLH10AS1522R0P2M
PIC16F677-I/SS
P11C68-35DCBS
PIP212-12M
P4SMAJ100CA-T3
PS2715-1-V-F3
P1812-103K
PSD953F5V-20J
供货商
型号
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数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PDTC115EU
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
PDTC115EU
NXP
10+
3000
SOT-323
只做原装实单申请
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885348339 复制

电话：0755-83209630 82519391
联系人：许小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
PDTC115EU
SUNLORD/顺络
24+
18650
SMD
原装新到货，公司现货
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
PDTC115EU
NXP
21+
3000
SOT-323
全新原装正品/质量有保证
深圳市芯珵科技有限公司
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电话：13316817713
联系人：张先生
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6楼
PDTC115EU
NXP
24+
9850
SOT-323
进口原装正品现货
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
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