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HYS72D[32/64/128]3[00/20]GBR
录得双数据速率SDRAM模块
概观
表2
TYPE
订购信息
合规守则
描述
SDRAM技术
PC3200 (CL = 3,
t
RP
=
t
RCD
= 3时
t
CK
=为5ns )
HYS72D32300GBR–5–B
HYS72D64300GBR–5–B
HYS72D64320GBR–5–B
PC3200R-30330-A
PC3200R-30330-C
PC3200R-30330-B
一个等级256 MB注册
DIMM
一个等级512 MB注册
DIMM
256兆位( × 8 )
256兆位( ×4)的
两个职级512 MB注册的256兆位( × 8 )
DIMM
两个职级1 GB注册
DIMM
256兆位( ×4)的
HYS72D128320GBR - 5 -B PC3200R - 30331 -D
PC2700 ( CL = 2.5 ,
t
RP
=
t
RCD
= 3时
t
CK
= 6ns的)
HYS72D32300GBR–6–B
HYS72D64300GBR–6–B
HYS72D64320GBR–6–B
PC2700R-25330-A
PC2700R-25330-C
PC2700R-25330-B
一个等级256 MB注册
DIMM
一个等级512 MB注册
DIMM
256兆位( × 8 )
256兆位( ×4)的
两个职级512 MB注册的256兆位( × 8 )
DIMM
两个职级1 GB注册
DIMM
256兆位( ×4)的
HYS72D128320GBR -6-乙PC2700R - 25330 -D-
PC2100 (CL = 2,
t
RP
=
t
RCD
= 3时
t
CK
= 7.5ns )
HYS72D32300GBR–7–B
HYS72D64300GBR–7–B
HYS72D64320GBR–7–B
PC2100R-20330-A
PC2100R-20330-C
PC2100R-20330-B
一个等级256 MB注册
DIMM
一个等级512 MB注册
DIMM
256兆位( × 8 )
256兆位( ×4)的
两个职级512 MB注册的256兆位( × 8 )
DIMM
两个职级1 GB注册
DIMM
256兆位( ×4)的
HYS72D128320GBR -7-乙PC2100R - 20330 -D-
注:所有“产品类型”结束与一个地方的代码指定的硅芯片版本。提供参考信息
根据要求提供。例如: HYS72D64300GR -5 -B中,表示转速。 模具被用于SDRAM的组件。该
“遵守码”被印刷在描述速度的排序(例如,“ PC2700 ” )的模块的标签,该
延迟和SPD代码定义(例如“ 20330 ”,是指在2.0个时钟, RCD CAS等待时间
1)
潜伏期
3个时钟,排3个时钟预充电延迟,以及JEDEC SPD代码definiton版本0 ) ,和原卡
用于该模块。
1 ) RCD :行,列延时
数据表
7
修订版1.1 , 2004-04
10102003-01E2-HPA8