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HYS72D[32/64/128]3[00/20]GBR
录得双数据速率SDRAM模块
电气特性
表9
I
DD
特定网络阳离子
HYS72D128320GBR-5-B
HYS72D32300GBR-5-B
HYS72D64300GBR-5-B
HYS72D64320GBR-5-B
单位
注/测试
条件
5)
产品类型&组织
256 MB
×72
1级
–5
典型值。
马克斯。
1960
2005
725
1139
932
869
1319
2185
2194
2635
671
3310
1690
1825
698
1076
878
815
1238
2005
2005
2320
656.6
3040
512 MB
×72
1级
–5
典型值。
2500
2770
752
1508
1112
986
1832
3130
3130
3760
669.2
5200
马克斯。
3040
3130
806
1634
1220
1094
1994
3490
3508
4390
698
5740
512 MB
×72
2点
–5
典型值。
2284
2419
752
1508
1112
986
1832
2599
2599
2914
669.2
3634
马克斯。
2599
2644
806
1634
1220
1094
1994
2824
2833
3274
698
3949
1千兆字节
×72
2点
–5
典型值。
3688
3958
860
2372
1580
1328
3020
4318
4318
4948
694.4
6388
马克斯。
4318
4408
968
2624
1796
1544
3344
4768
4786
5668
752
7018
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
1)4)
1)3)4)
2)4)
2)4)
2)4)
2)4)
2)4)
1)3)4)
1)4)
1)4)
2)4)
1)3)4)5)
I
DD0
I
DD1
I
DD2P
I
DD2F
I
DD2Q
I
DD3P
I
DD3N
I
DD4R
I
DD4W
I
DD5
I
DD6
I
DD7
1)该模块
I
DD
值被从该组件计算
I
DD
数据表中的值是:
n
*
I
DD
× [成分]
对于单一银行模块( N:每个模块库元件数量)
n
*
I
DD
× [成分]
+
n
*
I
DD3N
[成分]两银行模块( N:每个模块库元件数量)
2)模块
I
DD
值被从该组件计算
I
DD
数据表中的值是:
n
*
I
DD
× [成分]
对于单一银行模块( N:每个模块库元件数量)
2
*
n
*
I
DD
× [成分]
单两张银行模块( N:每个模块库元件数量)
3 ) DQ I / O(
I
DDQ
)电流不纳入计算:模块
I
DD
值将被测量的不同,具体取决于负载
条件
4 )模块
I
DD
计算组件的基础上
I
DD
包括寄存器和PLL
5 )为最大值测试条件:
V
DD
= 2.7 V,
T
A
= 10 °C
数据表
20
修订版1.1 , 2004-04
10102003-01E2-HPA8

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