飞利浦半导体
产品speci fi cation
20 V ， 5 A
NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
PBSS4520X
1000
h
FE
800
(1)
001aaa746
1.2
V
BE
(V)
0.8
001aaa750
600
(2)
400
(3)
0.4
200
0
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
I
C
（MA ）
0
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
I
C
（MA ）
V
CE
= 2 V.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
V
CE
= 2 V.
T
AMB
= 25
°C.
Fig.6
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.7
基极 - 发射极间电压的一个函数
集电极电流;典型值。
10
3
V
CESAT
（毫伏）
10
2
(2)
001aaa747
10
3
V
CESAT
（毫伏）
10
2
001aaa748
(1)
(1)
(3)
10
(2)
10
1
(3)
1
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
I
C
（MA ）
10
1
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
I
C
（MA ）
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
=
55 °C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
T
AMB
= 25
°C.
(1) I
C
/I
B
= 100.
(2) I
C
/I
B
= 50.
(3) I
C
/I
B
= 10.
Fig.8
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
Fig.9
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
2004年11月8日
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