飞利浦半导体
产品speci fi cation
20 V ， 5 A
NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
I
CES
h
FE
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
直流电流增益
条件
V
CB
= 20V;我
E
= 0 A
V
CB
= 20V;我
E
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 20 V; V
BE
= 0 V
V
CE
= 2 V
I
C
= 0.5 A
I
C
= 1 ;注1
I
C
= 2 A;注1
I
C
= 5 A;注1
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和
电压
I
C
= 0.5 A;我
B
= 5毫安
I
C
= 1 ;我
B
= 10毫安
I
C
= 2.5 A;我
B
= 125毫安;注1
I
C
= 4 A;我
B
= 200毫安;注1
I
C
= 5 A;我
B
= 500毫安;注1
R
CESAT
V
BESAT
V
BEON
f
T
C
c
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
导通电阻的等效
基射极饱和电压
基射极导通电压
跃迁频率
集电极电容
I
C
= 5 A;我
B
= 500毫安;注1
I
C
= 4 A;我
B
= 200毫安;注1
I
C
= 5 A;我
B
= 500毫安;注1
V
CE
= 2 V ;我
C
= 2 A
I
C
= 100毫安; V
CE
= 10 V;
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 ; F = 1 MHz的
300
300
250
200
100
分钟。
PBSS4520X
典型值。
450
440
420
380
35
50
85
130
160
32
0.9
0.96
0.74
125
90
马克斯。
100
50
100
100
50
70
120
180
220
44
1.05
1.1
0.85
110
单位
nA
A
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
m
V
V
V
兆赫
pF
2004年11月8日
7
