SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4159 ， REV 。 -
PFCM-1500C
非密封
功率因数校正模块
产品特点：
密封包装
600伏， 0.21欧姆， 26.0A MOSFET
超快速二极管
整流桥
散热器安装
1500/3000 WATT PFC
MOSFET评级
最大额定值
所有评级ARE AT＆T
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
V
GS
I
D
I
D
T
OP
/T
英镑
P
D
分钟。
-
-
-
-55
-
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
±30
26
17
+150
470
单位
伏
安培
安培
°C
瓦
等级
栅极至源极电压
通态漏电流
@ T
C
= 25°C
通态漏电流
@ T
C
= 100°C
工作和存储温度
器件总功耗@ T
C
= 25°C
电气特性
特征
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
静态漏极至源极通态电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 16A
栅极阈值电压V
DS
=V
GS
, I
D
= 250uA
正向跨导
V
DS
= 50V ，我
DS
= 16.0A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
门源漏FORWARD
V
GS
= 30V
门源漏反向
V
GS
= -30V
打开延迟时间
V
DD
= 300V,
上升时间
I
D
= 26A,
关闭延迟时间
R
G
= 4.3
下降时间
总栅极电荷
I
D
= 26A,
符号
BV
DSS
分钟。
600
-
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
3.0
13
-
I
DSS
I
GSS
t
D（上）
t
r
t
（六中）D
t
f
Q
g
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
50
2000
100
-100
31
110
47
42
180
A
nA
0.25
5.0
-
伏
S(1/)
马克斯。
-
单位
伏
纳秒
-
-
nC
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真：（ 631 ） 242-9798
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