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512MB ， 1GB ， 2GB Registered DIMM内存模组
参数
DQS下降沿到CK建立时间
DQS从CK下降沿保持时间
DDR2 SDRAM
DDR2-533
民
最大
x
x
x
0.6
x
x
x
1.1
0.6
x
x
符号
TDSS
tDSH
超过tMRD
tWPST
tWPRE
TIH
TIS
tRPRE
tRPST
TRRD
TRRD
tFAW
tFAW
TCCD
tWR的
tDAL
Twtr
tRTP
tXSNR
tXSRD
TXP
tXARD
tXARDS
Tcke
tAOND
tAON
tAONPD
tAOFD
tAOF
tAOFPD
tANPD
tAXPD
TOIT
tDELAY时间
DDR2-400
民
0.2
0.2
2
0.4
0.35
475
350
0.9
0.4
7.5
10
37.5
50
2
x
x
x
15
tWR的+ tRP的
10
7.5
tRFC + 10
200
x
x
2
2
6 - AL
x
x
x
x
x
单位
x
x
x
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
ps
ps
TCK
TCK
ns
ns
ns
ns
TCK
ns
TCK
ns
ns
ns
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
2
TCK
ns
ns
TCK
ns
ns
TCK
TCK
12
ns
ns
笔记
最大
0.2
0.2
2
0.4
0.35
375
250
0.9
0.4
7.5
10
37.5
50
2
15
tWR的+ tRP的
7.5
7.5
tRFC + 10
200
2
2
6 - AL
模式寄存器设置命令周期时间
写后同步
写序言
地址和控制输入保持时间
地址和控制输入建立时间
阅读序言
阅读后同步
积极为1KB的页面尺寸的产品激活命令时期
积极为2KB页大小的产品激活命令时期
四激活窗口为1KB的页面尺寸产品
四激活窗口为2KB页大小的产品
CAS到CAS命令延迟
写恢复时间
自动预充电写恢复+预充电时间
内部写读命令延迟
内部读取到预充电命令延迟
退出自刷新到非读命令
退出自刷新到一个读命令
出口预充电功率降低到任何非读命令
退出有功功率下降到读命令
退出有功功率下降到读命令
（慢射，更低的功耗）
CKE最小脉冲宽度
（高和低脉冲宽度）
ODT导通延迟
ODT开启
ODT开启（掉电模式）
ODT关断延迟
ODT关闭
ODT关闭（省电模式）
ODT断电进入潜伏期
ODT掉电退出延时
OCD驱动模式输出延迟
最小的打卡钟后保持CKE异步变为低电平
0.6
x
x
x
1.1
0.6
x
x
3
2
TAC （分钟）
tAC(min)+2
2.5
TAC （分钟）
3
2
tAC(max)+1
2tCK+tAC(m
ax)+1
2.5
TAC （最大） +0.6
2
TAC （分钟）
tAC(min)+2
2.5
TAC （分钟）
tAC(min)+2
3
8
tAC(max)+1
2tCK+tAC
(max)+1
2.5
TAC （最大） +0.6
tAC(min)+2
3
8
0
TIS + TCK + TIH
2.5tCK+
tAC(max)+1
2.5tCK+
tAC(max)+1
12
0
TIS + TCK + TIH
修订版1.3 2005年08月
