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NP82N04MDG ， NP82N04NDG
漏极至源极导通电阻与
通道温度
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
10
电容与漏源极电压
10000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
8
6
4
2
0
-75
-25
V
GS
= 4.5 V
C
国际空间站
1000
C
OSS
10 V
I
D
= 41 A
脉冲
25
75
125
175
225
C
RSS
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
100
0.1
1
10
100
T
ch
- 通道温度 -
°
C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
1000
动态输入/输出特性
50
10
V
DD
= 32 V
20 V
8V
8
6
V
GS
4
2
I
D
= 82 A
60
80
0
100
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
40
30
20
10
0
100
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
10
V
DD
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
Ω
1
0.1
1
10
t
f
V
DS
100
0
20
40
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
源极到漏极二极管的正向电压
1000
100
4.5 V
10
1
0.1
脉冲
0.01
0
0.5
1
1.5
10
0.1
V
GS
= 0 V
100
反向恢复时间对比
二极管的正向电流
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
10 V
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V
1
10
100
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
数据表D19800EJ1V0DS
5
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
