NP82N04MDG ， NP82N04NDG
漏电流与
漏源极电压
350
300
1000
100
正向传递特性
V
DS
= 10 V
脉冲
T
A
= 85°C
125°C
150°C
175°C
I
D
- 漏电流 - 一个
250
200
150
100
50
I
D
- 漏电流 - 一个
10 V
10
1
0.1
0.01
V
GS
= 4.5 V
55°C
25°C
25°C
脉冲
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.001
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
门源阈值电压 -
通道温度
V
GS （ TH）
- 门源阈值电压 - V
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
正向转移导纳主场迎战
漏电流
1000
T
A
=
55°C
25°C
25°C
75°C
125°C
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-75
-25
25
75
100
10
150°C
175°C
1
V
DS
= 5 V
脉冲
0.1
0.1
1
10
100
1000
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μA
125
175
225
T
ch
- 通道温度 -
°C
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
漏电流
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
10
8
6
4
10 V
2
脉冲
0
0.1
1
10
100
1000
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
30
脉冲
20
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 82 A
41 A
16.4 A
10
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
4
数据表D19800EJ1V0DS
