位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第146页 > NP82N06NLG-S18-AY > NP82N06NLG-S18-AY PDF资料 > NP82N06NLG-S18-AY PDF资料1第7页
NP82N06MLG ， NP82N06NLG
漏极至源极导通电阻与
通道温度
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
电容与漏源极电压
20
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
10000
C
国际空间站
16
12
8
10 V
4
0
-75
-25
25
75
125
175
225
T
ch
- 通道温度 -
°C
V
GS
= 5 V
1000
C
OSS
I
D
= 41 A
脉冲
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
100
0.1
1
C
RSS
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
1000
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
动态输入/输出特性
60
50
40
30
20
10
0
V
DS
I
D
= 82 A
0
20
40
60
80
100
0
120
V
DD
= 48 V
30 V
12 V
12
10
8
6
4
2
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
100
t
D（关闭）
t
D（上）
10
V
DD
= 30 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
Ω
1
0.1
1
10
t
r
t
f
V
GS
100
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
源极到漏极二极管的正向电压
1000
100
10 V
5V
10
1
0.1
脉冲
0.01
0
0.5
1
1.5
10
1
V
GS
= 0 V
反向恢复时间对比
二极管的正向电流
100
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V
10
100
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
数据表D19802EJ1V0DS
5
