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数据表
MOS场效应
NP82N06MLG ， NP82N06NLG
开关
N沟道功率MOS FET
描述
该NP82N06MLG和NP82N06NLG是N沟道MOS场效应设计用于高电流晶体管
开关应用。
订购信息
产品型号
NP82N06MLG-S18-AY
NP82N06NLG-S18-AY
记
记
铅电镀
纯Sn （锡）
填料
管
50 P /管
包
TO- 220 （ MP - 25K ） （典型值） 。 1.9克
TO- 262 （ MP - 25SK ） （典型值） 。 1.8克
记
无铅（此产品不包含铅，在外部电极）。
特点
逻辑电平
内置栅极保护二极管
超低导通电阻
R
DS(on)1
= 7.4 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 41 A)
R
DS(on)2
= 9.7 mΩ以下。 （V
GS
= 5 V，I
D
= 41 A)
高额定电流
I
D（ DC）的
=
±82
A
低输入电容
C
国际空间站
= 5700 pF的典型。
专为汽车应用和AEC- Q101标准
(TO-220)
(TO-262)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
Note1
漏电流（脉冲）
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
Note2
重复性雪崩电流
Note2
重复性雪崩能量
注意事项1 。
PW
≤
10
μ
S，占空比
≤
1%
2.
T
ch
≤
150℃ ，R
G
= 25
Ω
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AR
E
AR
60
±20
±82
±270
143
1.8
175
55
to
+175
37
137
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
1.05
83.3
° C / W
° C / W
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一号文件D19802EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2009年NS五月
日本印刷
2009
