初步
数据表
NP160N04TUJ
MOS场效应
描述
R07DS0021EJ0100
Rev.1.00
2010年7月1日
该NP160N04TUJ是N沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。
特点
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 2.0 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 80 A)
低西塞：西塞= 6900 pF的典型。 （V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V)
专为汽车应用和AEC- Q101标准
订购信息
产品型号
1
NP160N04TUJ -E1 - AY
1
NP160N04TUJ -E2 - AY
铅电镀
纯Sn （锡）
填料
带800个/卷
包
TO- 263-7pin ，大坪（ E1型）
TO- 263-7pin ，大坪（ E2型）
注意：
1.无Pb （此产品不包含铅，在外部电极）。
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
项
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
1
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
2
重复性雪崩电流
2
重复性雪崩能量
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AR
E
AR
评级
40
±20
±160
±640
250
1.8
175
55
to
+175
60
360
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
注意事项：
1. PW
≤
10
μ
S，占空比
≤
1%
2. T
通道（峰值）
≤
150℃ ，R
G
= 25
Ω
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
0.60
83.3
° C / W
° C / W
R07DS0021EJ0100 Rev.1.00
2010年7月1日
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