【初步数据表NP160N04TUJMOS场效应描述R07DS0021EJ0100Rev.1.00201】,IC型号NP160N04TUJ,NP160N04TUJ PDF资料,NP160N04TUJ经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

数据表

NP160N04TUJ

MOS场效应

描述

R07DS0021EJ0100

Rev.1.00

2010年7月1日

该NP160N04TUJ是N沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。

特点

低通态电阻

R

DS （ ON）

= 2.0 mΩ以下。（V

GS

= 10 V，I

D

= 80 A)

低西塞：西塞= 6900 pF的典型。（V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V)

专为汽车应用和AEC- Q101标准

订购信息

产品型号

1

NP160N04TUJ -E1 - AY

1

NP160N04TUJ -E2 - AY

铅电镀

纯Sn （锡）

填料

带800个/卷

包

TO- 263-7pin ，大坪（ E1型）

TO- 263-7pin ，大坪（ E2型）

注意：

1.无Pb （此产品不包含铅，在外部电极）。

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

项

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

C

= 25°C)

漏电流（脉冲）

1

总功率耗散（T

C

= 25°C)

总功率耗散（T

A

= 25°C)

通道温度

储存温度

2

重复性雪崩电流

2

重复性雪崩能量

符号

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T1

P

T2

T

ch

T

英镑

I

AR

E

AR

评级

40

±20

±160

±640

250

1.8

175

55

to

+175

60

360

单位

V

A

W

°C

A

mJ

注意事项：

1. PW

≤

10

μ

S，占空比

≤

1%

2. T

通道（峰值）

≤

150℃ ，R

G

= 25

Ω

热阻

通道到外壳热阻

通道到环境的热阻

R

TH（ CH-C ）

R

第（章-a）的

0.60

83.3

° C / W

R07DS0021EJ0100 Rev.1.00

2010年7月1日

第1页6

NP160N04TUJ

章标题

电气特性（T

A

= 25°C)

项

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门源阈值电压

正向转移导纳

1

漏极至源极导通状态

1

阻力

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

1

反向恢复时间

反向恢复电荷

注意：

1.脉冲

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

R

G

= 25

Ω

PG 。

V

GS

= 20

→

0 V

50

Ω

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

| y

fs

|

R

DS （ ON）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

民

典型值

2.0

55

3.0

110

1.6

6900

930

360

40

20

85

15

115

28

36

0.9

57

105

最大

1

±100

4.0

2.0

10350

1400

650

90

50

170

40

180

单位

μ

A

nA

V

S

mΩ

pF

ns

nC

V

ns

nC

测试条件

V

DS

= 40 V, V

GS

= 0 V

V

GS

=

±20

V, V

DS

= 0 V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

μ

A

V

DS

= 5 V，I

D

= 80 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 80 A

V

DS

= 25 V,

V

GS

= 0 V,

F = 1 MHz的

V

DD

= 20 V，I

D

= 80 A,

V

GS

= 10 V,

R

G

= 0

Ω

V

DD

= 32 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 160 A

I

F

= 160 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 160 A，V

GS

= 0 V,

的di / dt = 100 A /

μ

s

1.5

测试电路2开关时间

D.U.T.

L

V

DD

PG 。

R

G

V

GS

R

L

V

DD

V

DS

90%

10%

V

GS

电波表

0

10%

V

GS

90%

BV

DSS

I

AS

I

D

V

DD

V

DS

V

GS

0

V

DS

V

DS

电波表

0

t

D（上）

t

on

τ

= 1

μ

s

占空比

≤

1%

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

起始物为

ch

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

I

G

= 2毫安

PG 。

50

Ω

R

L

V

DD

R07DS0021EJ0100 Rev.1.00

2010年7月1日

第2 6

NP160N04TUJ

章标题

典型特征（T

A

= 25°C)

正向偏置安全的降额因子

工作区

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

300

100

80

60

40

20

0

25

50

75

100

125

150

175

总功耗对比

外壳温度

P

T

- 总功耗 - W

250

200

150

100

50

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

- 外壳温度 -

°C

正向偏置安全工作区

1000

T

C

- 外壳温度 -

°C

I

D（脉冲）

I

D（ DC）的

PW

=1

1

00

I

D

- 漏电流 - 一个

100

功耗有限公司

R

DS （ ON）

有限

(V

GS

= 10 V)

μ

s

10

1毫秒

1

T

C

= 25°C

单脉冲

10毫秒

DC

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

r

日（T ）

- 瞬态热阻 -

° C / W

100

10

1

0.1

0.01

单脉冲

0.001

100

μ

1m

R

第（章-a）的

： 83.3 ° C / W

R

TH（ CH-C ）

： 0.60 ° C / W

10 m

100 m

1

10

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

R07DS0021EJ0100 Rev.1.00

2010年7月1日

第3页6

NP160N04TUJ

漏电流与

漏源极电压

700

600

1000

100

章标题

正向传递特性

I

D

- 漏电流 - 一个

500

400

300

200

100

0

0.5

1

V

GS

= 10 V

脉冲

1.5

I

D

- 漏电流 - 一个

10

1

0.1

0.01

0.001

0

T

A

=

55°C

25°C

85°C

150°C

175°C

V

DS

= 10 V

脉冲

2

4

6

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

门源阈值电压

与通道温度

V

GS （ TH）

- 门源阈值电压 - V

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

4.0

远期转移导纳主场迎战漏

当前

1000

T

A

=

55°C

25°C

85°C

150°C

175°C

10

V

DS

= 5 V

脉冲

1

10

100

1000

3.0

100

2.0

1.0

V

DS

= V

GS

I

D

= 250

μA

-100

0

100

200

0.0

1

T

ch

- 通道温度 -

°C

I

D

- 漏电流 - 一个

漏极至源极导通电阻与

漏电流

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

4

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

5

4

3

2

1

0

5

10

15

20

25

I

D

= 160 A

80 A

32 A

脉冲

V

GS

= 10 V

脉冲

3

2

1

0

1

10

100

1000

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

R07DS0021EJ0100 Rev.1.00

2010年7月1日

第4 6

NP160N04TUJ

漏极至源极导通电阻与

通道温度

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

4.0

V

GS

= 10 V

I

D

= 80 A

脉冲

100000

章标题

电容与漏源极电压

3.0

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

10000

C

国际空间站

2.0

1000

1.0

C

OSS

C

RSS

0.0

-100

100

-50

0

50

100

150

200

0.1

1

10

100

T

ch

- 通道温度 -

°C

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

开关特性

1000

动态输入/输出特性

40

I

D

= 160 A

16

14

V

DD

= 32 V

20 V

8V

V

GS

12

10

8

6

4

V

DS

2

80

100

120

0

140

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

35

30

25

20

15

10

5

0

20

40

100

t

D（关闭）

t

D（上）

t

r

t

f

V

DD

= 20 V

V

GS

= 10 V

R

G

= 0

Ω

0.1

1

10

100

1000

10

1

60

I

D

- 漏电流 - 一个

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

反向恢复时间对比

漏电流

100

源极到漏极二极管的正向电压

1000

100

V

GS

= 10 V

10

0V

1

脉冲

0

0.5

1

1.5

t

rr

- 反向恢复时间 - NS

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

0.1

10

0.1

1

10

的di / dt = 100 A / μs的

V

GS

= 0 V

100

1000

V

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

I

F

- 漏电流 - 一个

R07DS0021EJ0100 Rev.1.00

2010年7月1日

分页： 5 6

V

GS

- 栅极至源极电压 - V