NCP5211A
电气特性
（续）
（ -40°C <牛逼
A
< 85°C ; -40°C <牛逼
J
< 125°C ; 4.5 V < V
CC
, V
C
< 14 V ;
7.0 V < BST < 20 V ;
门（H）的
= C
门（L）的
= 3.3 nF的;
OSC
= 51 K表;
COMP
= 0.1
F,
除非另有规定）。
特征
门（H）和门（L）的
高电压（ AC）的
门（L）
门（H）的
0.5 nF的<
门（H）的
= C
门（L）的
< 10 nF的
门（L）或门（H）的
0.5 nF的<
门（H）的
; C
门（L）的
< 10 nF的
V
C
= BST = 10 V ，测量：
1.0 V < GATE （ L） < 9.0 V，
1.0 V < GATE （H ） < 9.0 V
V
C
= BST = 10 V ，测量：
1.0 V < GATE （ L） < 9.0 V，
1.0 V < GATE （H ） < 9.0 V
GATE （H ） < 2.0 V， GATE （ L） > 2.0 V
GATE （ L） < 2.0 V， GATE （H ） > 2.0 V
耐PGND
V
C
0.5
BST - 0.5
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
低电压（ AC）的
上升时间
40
0.5
80
V
ns
下降时间
40
80
ns
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
GATE （H ） / （L ）的下拉
过电流保护
电流限制阈值
IS +偏置电流
IS-偏置电流
PWM比较器
瞬态响应
PWM比较器的失调
人造斜坡
V
FFB
偏置电流
V
FFB
最大输入
最小脉冲宽度
振荡器
开关频率
R
OSC
电压
最大占空比
通用电气规格
V
CC
电源电流
BST电源电流
V
C
电源电流
启动阈值
停止阈值
迟滞
意识地电流
40
40
20
70
70
50
110
110
115
ns
ns
k
0 V < IS + < 4.5 V ， 0 V < IS- < 4.5 V
0 V < IS + < 4.5 V
0 V < IS- < 4.5 V
54
1.0
1.0
60
0.1
0.1
66
1.0
1.0
mV
A
A
COMP = 0 - 1.5 V ，V
FFB
， 20 mV过
V
FB
= V
FFB
= 0 V ;增加COMP直到
GATE （H ）开始转换
占空比= 70 ％ （注3）
V
FFB
= 0 V
（注3）
0.425
30
1.1
100
0.475
55
0.1
200
0.525
80
1.0
200
ns
V
mV
A
V
ns
R
OSC
= 51 k
V
COMP
＆ GT ; V
FFB
+ 1.0 V
270
1.21
65
300
1.25
70
330
1.29
75
千赫
V
%
COMP = 0 V （无转换）
COMP = 0 V （无转换）
COMP = 0 V （无转换）
GATE （H ）开关， COMP充电
GATE （H ）不交换， COMP不充电
起止
4.03
3.89
100
7.0
2.0
2.0
4.18
4.04
140
0.15
8.3
3.0
3.0
4.33
4.19
180
1.00
mA
mA
mA
V
V
mV
mA
3.通过设计保证。在生产中测试。
http://onsemi.com
4
