NCP5211A
低压同步
降压控制器
该NCP5211A是一款低电压同步降压控制器。它
包含一个同步降压转换器使用所有必需的电路
外部N沟道MOSFET 。大电流的内部栅极驱动器是
能够驱动低R的
DS （ ON）
NFET的更好的效率。该
NCP5211A是在一个14引脚封装，以减少PCB面积。
该NCP5211A提供过流保护，欠压
闭锁，软启动和内置自适应非重叠。该NCP5211A是
调节过的150千赫兹至750千赫兹的频率范围。这使
设计者更大的灵活性，使效率和组件尺寸
妥协。该NCP5211A将在单电源或操作
独立的升压电源。
特点
http://onsemi.com
记号
图
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
B
WL
Y
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
NCP5211A
BWLYWW
开关稳压器控制器
N通道同步降压设计
1.0安培门驱动能力
200 ns的瞬态响应
150 kHz至750 kHz的可编程的工作频率
0.8 V 1％的内部参考
无损耗电感器检测的过电流保护
逐周期的短路保护
可编程软启动
40 ns的门上升和下降时间（ 3.3 nF的负载）
70 ns的自适应FET非重叠时间
差分远端检测能力
系统电源管理
操作与5.0 V或12 V转换一个铁
欠压锁定
开/关控制通过使用COMP引脚的
最大占空比钳位到70 ％的正激变换器的控制
应用
引脚连接
1
门（H）的
BST
LGND
V
FFB
V
FB
COMP
SGND
保护地
门（L）的
V
C
是+
是“
V
CC
R
OSC
订购信息
设备
NCP5211AD
NCP5211ADR2
包
SO14
SO14
航运
55单位/铁
2500磁带&卷轴
机顶盒设备
正向转换器
降压转换器
负载点调节
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 第3版
出版订单号：
NCP5211A/D
NCP5211A
5.0 V
+
100
F/10
V
×
3
NTMS7N03
0.1
F
V
C
V
CC
COMP
0.1
F
51 k
0.1
F
R
OSC
NCP5211A
是+
是“
SGND
LGND
10
V
FFB
V
FB
2.15 k
1.0 k
1.0%
680 pF的
感
注意：
电阻（欧）
1.0%
SENSE +
BST
门（H）的
门（L）的
保护地
NTMS7N03
0.1
F
4.7 k
+
2.9
H
2.5 V / 8的
+V
OUT
100
F/10
V
×
2
10
V
OUT
回报
图1.应用框图， 5.0 V至2.5 V / 8 A转换器具有差分远端检测
最大额定值*
等级
工作结温，T
J
焊接温度焊接：
存储温度范围，T
S
封装热阻：
结到外壳，R
θJC
结到环境，R
θJA
ESD能力 - R以外的所有引脚
OSC
（人体模型）
（机器型号）
ESD能力 - R的
OSC
引脚只（人体模型）
（机器型号）
JEDEC湿度敏感度
第二个最大以上183℃一60 。
*最大包装功耗必须不超过150 ° CT观察
J
.
回流焊： （只SMD样式） （注1 ）
价值
150
230峰
-65到+150
30
125
2.0
200
500
150
LEVEL 1
单位
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
kV
V
V
V
http://onsemi.com
2
NCP5211A
电气特性
（续）
（ -40°C <牛逼
A
< 85°C ; -40°C <牛逼
J
< 125°C ; 4.5 V < V
CC
, V
C
< 14 V ;
7.0 V < BST < 20 V ;
门（H）的
= C
门（L）的
= 3.3 nF的;
OSC
= 51 K表;
COMP
= 0.1
F,
除非另有规定）。
特征
门（H）和门（L）的
高电压（ AC）的
门（L）
门（H）的
0.5 nF的<
门（H）的
= C
门（L）的
< 10 nF的
门（L）或门（H）的
0.5 nF的<
门（H）的
; C
门（L）的
< 10 nF的
V
C
= BST = 10 V ，测量：
1.0 V < GATE （ L） < 9.0 V，
1.0 V < GATE （H ） < 9.0 V
V
C
= BST = 10 V ，测量：
1.0 V < GATE （ L） < 9.0 V，
1.0 V < GATE （H ） < 9.0 V
GATE （H ） < 2.0 V， GATE （ L） > 2.0 V
GATE （ L） < 2.0 V， GATE （H ） > 2.0 V
耐PGND
V
C
0.5
BST - 0.5
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
低电压（ AC）的
上升时间
40
0.5
80
V
ns
下降时间
40
80
ns
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
GATE （H ） / （L ）的下拉
过电流保护
电流限制阈值
IS +偏置电流
IS-偏置电流
PWM比较器
瞬态响应
PWM比较器的失调
人造斜坡
V
FFB
偏置电流
V
FFB
最大输入
最小脉冲宽度
振荡器
开关频率
R
OSC
电压
最大占空比
通用电气规格
V
CC
电源电流
BST电源电流
V
C
电源电流
启动阈值
停止阈值
迟滞
意识地电流
40
40
20
70
70
50
110
110
115
ns
ns
k
0 V < IS + < 4.5 V ， 0 V < IS- < 4.5 V
0 V < IS + < 4.5 V
0 V < IS- < 4.5 V
54
1.0
1.0
60
0.1
0.1
66
1.0
1.0
mV
A
A
COMP = 0 - 1.5 V ，V
FFB
， 20 mV过
V
FB
= V
FFB
= 0 V ;增加COMP直到
GATE （H ）开始转换
占空比= 70 ％ （注3）
V
FFB
= 0 V
（注3）
0.425
30
1.1
100
0.475
55
0.1
200
0.525
80
1.0
200
ns
V
mV
A
V
ns
R
OSC
= 51 k
V
COMP
＆ GT ; V
FFB
+ 1.0 V
270
1.21
65
300
1.25
70
330
1.29
75
千赫
V
%
COMP = 0 V （无转换）
COMP = 0 V （无转换）
COMP = 0 V （无转换）
GATE （H ）开关， COMP充电
GATE （H ）不交换， COMP不充电
起止
4.03
3.89
100
7.0
2.0
2.0
4.18
4.04
140
0.15
8.3
3.0
3.0
4.33
4.19
180
1.00
mA
mA
mA
V
V
mV
mA
3.通过设计保证。在生产中测试。
http://onsemi.com
4
NCP5211A
封装引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
引脚符号
门（H）的
BST
LGND
V
FFB
V
FB
COMP
SGND
R
OSC
V
CC
是“
是+
V
C
门（L）的
保护地
功能
高边开关FET驱动器引脚。能够提供1.0 A.峰值电流
电源输入的高边驱动器。
参考地。所有的控制电路都参考该引脚。 IC载板的连接。
输入PWM比较器。
误差放大器的输入。
误差放大器的输出。 PWM比较器的参考输入。电容器，以提供LGND误差放大器
补偿。
内部基准连接到该地。直接连接在负载为地面遥控
感应。
从这个引脚SGND一个电阻设置开关频率。
输入电源引脚。它提供电源控制电路。 A 0.1
F
去耦电容是
推荐使用。
负输入端过流比较器。
正输入端过流比较器。
电源输入为低侧驱动器。
低侧同步FET驱动器引脚。能够提供1.0 A.峰值电流
高电流接地的栅极（H）和门（L）的引脚。
0.5 V
PWM比较器
坡道
+
V
FFB
Σ
+
PWM FF
复位优先
R
停止
Q
BST
门（H）的
COMP
V
FB
误差放大器
+
+
0.8 V
UVLO
比较
+
SGND
OC FF
复位优先
R
Q
保护地
R
OSC
V
开始
V
CC
OC
比较
60毫伏
是“
LGND
+
+
是+
0.4 V
图2. NCP5211A框图
开始
OSC
S
开始
Q
V
C
门（L）的
R
OSC
S
+
Q
COMP比较
http://onsemi.com
5
NCP5211A
低压同步
降压控制器
该NCP5211A是一款低电压同步降压控制器。它
包含一个同步降压转换器使用所有必需的电路
外部N沟道MOSFET 。大电流的内部栅极驱动器是
能够驱动低R的
DS （ ON）
NFET的更好的效率。该
NCP5211A是在一个14引脚封装，以减少PCB面积。
该NCP5211A提供过流保护，欠压
闭锁，软启动和内置自适应非重叠。该NCP5211A是
调节过的150千赫兹至750千赫兹的频率范围。这使
设计者更大的灵活性，使效率和组件尺寸
妥协。该NCP5211A将在单电源或操作
独立的升压电源。
特点
http://onsemi.com
记号
图
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
B
WL
Y
WW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
NCP5211A
BWLYWW
开关稳压器控制器
N通道同步降压设计
1.0安培门驱动能力
200 ns的瞬态响应
150 kHz至750 kHz的可编程的工作频率
0.8 V 1％的内部参考
无损耗电感器检测的过电流保护
逐周期的短路保护
可编程软启动
40 ns的门上升和下降时间（ 3.3 nF的负载）
70 ns的自适应FET非重叠时间
差分远端检测能力
系统电源管理
操作与5.0 V或12 V转换一个铁
欠压锁定
开/关控制通过使用COMP引脚的
最大占空比钳位到70 ％的正激变换器的控制
应用
引脚连接
1
门（H）的
BST
LGND
V
FFB
V
FB
COMP
SGND
保护地
门（L）的
V
C
是+
是“
V
CC
R
OSC
订购信息
设备
NCP5211AD
NCP5211ADR2
包
SO14
SO14
航运
55单位/铁
2500磁带&卷轴
机顶盒设备
正向转换器
降压转换器
负载点调节
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 第3版
出版订单号：
NCP5211A/D
NCP5211A
5.0 V
+
100
F/10
V
×
3
NTMS7N03
0.1
F
V
C
V
CC
COMP
0.1
F
51 k
0.1
F
R
OSC
NCP5211A
是+
是“
SGND
LGND
10
V
FFB
V
FB
2.15 k
1.0 k
1.0%
680 pF的
感
注意：
电阻（欧）
1.0%
SENSE +
BST
门（H）的
门（L）的
保护地
NTMS7N03
0.1
F
4.7 k
+
2.9
H
2.5 V / 8的
+V
OUT
100
F/10
V
×
2
10
V
OUT
回报
图1.应用框图， 5.0 V至2.5 V / 8 A转换器具有差分远端检测
最大额定值*
等级
工作结温，T
J
焊接温度焊接：
存储温度范围，T
S
封装热阻：
结到外壳，R
θJC
结到环境，R
θJA
ESD能力 - R以外的所有引脚
OSC
（人体模型）
（机器型号）
ESD能力 - R的
OSC
引脚只（人体模型）
（机器型号）
JEDEC湿度敏感度
第二个最大以上183℃一60 。
*最大包装功耗必须不超过150 ° CT观察
J
.
回流焊： （只SMD样式） （注1 ）
价值
150
230峰
-65到+150
30
125
2.0
200
500
150
LEVEL 1
单位
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
kV
V
V
V
http://onsemi.com
2
NCP5211A
电气特性
（续）
（ -40°C <牛逼
A
< 85°C ; -40°C <牛逼
J
< 125°C ; 4.5 V < V
CC
, V
C
< 14 V ;
7.0 V < BST < 20 V ;
门（H）的
= C
门（L）的
= 3.3 nF的;
OSC
= 51 K表;
COMP
= 0.1
F,
除非另有规定）。
特征
门（H）和门（L）的
高电压（ AC）的
门（L）
门（H）的
0.5 nF的<
门（H）的
= C
门（L）的
< 10 nF的
门（L）或门（H）的
0.5 nF的<
门（H）的
; C
门（L）的
< 10 nF的
V
C
= BST = 10 V ，测量：
1.0 V < GATE （ L） < 9.0 V，
1.0 V < GATE （H ） < 9.0 V
V
C
= BST = 10 V ，测量：
1.0 V < GATE （ L） < 9.0 V，
1.0 V < GATE （H ） < 9.0 V
GATE （H ） < 2.0 V， GATE （ L） > 2.0 V
GATE （ L） < 2.0 V， GATE （H ） > 2.0 V
耐PGND
V
C
0.5
BST - 0.5
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
低电压（ AC）的
上升时间
40
0.5
80
V
ns
下降时间
40
80
ns
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
GATE （H ） / （L ）的下拉
过电流保护
电流限制阈值
IS +偏置电流
IS-偏置电流
PWM比较器
瞬态响应
PWM比较器的失调
人造斜坡
V
FFB
偏置电流
V
FFB
最大输入
最小脉冲宽度
振荡器
开关频率
R
OSC
电压
最大占空比
通用电气规格
V
CC
电源电流
BST电源电流
V
C
电源电流
启动阈值
停止阈值
迟滞
意识地电流
40
40
20
70
70
50
110
110
115
ns
ns
k
0 V < IS + < 4.5 V ， 0 V < IS- < 4.5 V
0 V < IS + < 4.5 V
0 V < IS- < 4.5 V
54
1.0
1.0
60
0.1
0.1
66
1.0
1.0
mV
A
A
COMP = 0 - 1.5 V ，V
FFB
， 20 mV过
V
FB
= V
FFB
= 0 V ;增加COMP直到
GATE （H ）开始转换
占空比= 70 ％ （注3）
V
FFB
= 0 V
（注3）
0.425
30
1.1
100
0.475
55
0.1
200
0.525
80
1.0
200
ns
V
mV
A
V
ns
R
OSC
= 51 k
V
COMP
＆ GT ; V
FFB
+ 1.0 V
270
1.21
65
300
1.25
70
330
1.29
75
千赫
V
%
COMP = 0 V （无转换）
COMP = 0 V （无转换）
COMP = 0 V （无转换）
GATE （H ）开关， COMP充电
GATE （H ）不交换， COMP不充电
起止
4.03
3.89
100
7.0
2.0
2.0
4.18
4.04
140
0.15
8.3
3.0
3.0
4.33
4.19
180
1.00
mA
mA
mA
V
V
mV
mA
3.通过设计保证。在生产中测试。
http://onsemi.com
4
NCP5211A
封装引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
引脚符号
门（H）的
BST
LGND
V
FFB
V
FB
COMP
SGND
R
OSC
V
CC
是“
是+
V
C
门（L）的
保护地
功能
高边开关FET驱动器引脚。能够提供1.0 A.峰值电流
电源输入的高边驱动器。
参考地。所有的控制电路都参考该引脚。 IC载板的连接。
输入PWM比较器。
误差放大器的输入。
误差放大器的输出。 PWM比较器的参考输入。电容器，以提供LGND误差放大器
补偿。
内部基准连接到该地。直接连接在负载为地面遥控
感应。
从这个引脚SGND一个电阻设置开关频率。
输入电源引脚。它提供电源控制电路。 A 0.1
F
去耦电容是
推荐使用。
负输入端过流比较器。
正输入端过流比较器。
电源输入为低侧驱动器。
低侧同步FET驱动器引脚。能够提供1.0 A.峰值电流
高电流接地的栅极（H）和门（L）的引脚。
0.5 V
PWM比较器
坡道
+
V
FFB
Σ
+
PWM FF
复位优先
R
停止
Q
BST
门（H）的
COMP
V
FB
误差放大器
+
+
0.8 V
UVLO
比较
+
SGND
OC FF
复位优先
R
Q
保护地
R
OSC
V
开始
V
CC
OC
比较
60毫伏
是“
LGND
+
+
是+
0.4 V
图2. NCP5211A框图
开始
OSC
S
开始
Q
V
C
门（L）的
R
OSC
S
+
Q
COMP比较
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
