【NTP30N06 ， NTB30N06功率MOSFET30安培， 60伏N沟道TO- 220和D2P】,IC型号NTP30N06,NTP30N06 PDF资料,NTP30N06经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTP30N06 ， NTB30N06

功率MOSFET

30安培， 60伏

N沟道TO- 220和D2PAK

在专为低电压，高速开关应用

电源，转换器和功率电机控制和桥

电路。

典型应用

http://onsemi.com

电源

转换器

电源电机控制

桥电路

30安培

60伏特

RDS （ ON） = 42毫欧

N沟道

D

价值

60

"20

"30

27

15

80

88.2

0.59

-55

+175

101

ADC

APK

W

W / ℃，

°C

mJ

TO–220AB

CASE 221A

风格5

2

3

单位

VDC

VGS

ID

IDM

PD

TJ ， TSTG

EAS

G

4

S

1

2

3

D2PAK

CASE 418B

方式2

4

最大额定值

（ TJ = 25° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

漏极至栅极电压（ RGS = 10 MΩ ）

栅极 - 源极电压

- 连续

- 不重复（ TP

v10

女士）

漏电流

- 连续@ TA = 25°C

- 连续@ TA = 100℃

- 单脉冲（ TP

v10

s)

总功率耗散@ TA = 25℃

减免上述25℃

工作和存储温度范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源 - 启动TJ = 25°C

（ VDD = 50伏直流电， VGS = 10伏直流， L = 0.3 mH的

IL （ PK ） = 26 A， VDS = 60 VDC ）

热阻

- 结到外壳

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

VDSS

VDGR

1

标记DIAGRAMS

＆放大器;引脚分配

4

漏

4

漏

° C / W

R

θJC

TL

1.7

260

°C

NTx30N06

LLYWW

1

门

2

漏

3

来源

1

门

NTx30N06

LLYWW

2

漏

3

来源

NTx30N06

x

LL

Y

WW

=器件代码

= P或B

=地点代码

=年

=工作周

订购信息

设备

NTP30N06

NTB30N06

NTB30N06T4

包

TO–220AB

D2PAK

航运

50单位/铁

800 /磁带&卷轴

半导体元件工业有限责任公司， 2001年

1

2001年8月 - 修订版0

出版订单号：

NTP30N06/D

NTP30N06 ， NTB30N06

电气特性

（ TJ = 25° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注1 ）

（ VGS = 0伏， ID = 250

μAdc ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏）

（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）

门体漏电流（ VGS =

±20

VDC ， VDS = 0伏）

基本特征

（注1 ）

栅极阈值电压（注1 ）

（VDS = VGS ，ID = 250

μAdc ）

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注1 ）

（ VGS = 10 VDC ， ID = 15 ADC）

静态漏 - 源极导通电压（注1 ）

（ VGS = 10 VDC ， ID = 30 ADC）

（ VGS = 10 VDC ， ID = 15的ADC ， TJ = 150 ° C）

正向跨导（注1 ）（ VDS = 7.0伏， ID = 15 ADC）

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注2 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

（ VDS = 48伏直流电， ID = 30的ADC ，

Vd

Ad

VGS = 10 V直流）（注1 ）

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

反向恢复时间

（ IS = 30 ADC ， VGS = 0伏，

Ad

Vd

DIS / DT = 100 A / μs）内（注1 ）

反向恢复电荷存储

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2%.

2.开关特性是独立的工作结点温度。

（ IS = 30 ADC ， VGS = 0伏）（注1 ）

（ IS = 30 ADC ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）

VSD

TRR

ta

tb

QRR

–

1.03

1.05

52

38

15

0.094

1.15

–

C

VDC

ns

（ VDD = 30 V直流， ID = 30的ADC ，

VGS = 10 VDC ， RG = 9.1

)

（注1 ）

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

QT

Q1

Q2

–

11

36

24

31

23.4

5.1

11

25

80

50

60

46

–

nC

ns

（ VDS = 25 Vd的VGS = 0伏，

VDC ，

Vd

F = 1.0兆赫）

西塞

科斯

CRSS

–

850

250

68

1200

350

100

pF

VGS （ TH）

2.0

–

RDS （ ON）

–

VDS （上）

–

政府飞行服务队

–

1.1

0.98

16

1.5

–

姆欧

35

42

VDC

3.05

7.3

4.0

–

VDC

毫伏/°C的

m

V（ BR ） DSS

60

–

IDSS

–

IGSS

–

1.0

10

±100

NADC

71.1

70

–

VDC

毫伏/°C的

μAdc

符号

民

典型值

最大

单位

http://onsemi.com

2

NTP30N06 ， NTB30N06

60

VGS = 10 V

ID ，漏极电流（ AMPS ）

50

40

30

20

10

0

4

5

1

2

3

VDS ，漏极至源极电压（伏）

6

9V

7V

6.5 V

6V

5.5 V

5V

4.5 V

0

2

ID ，漏极电流（ AMPS ）

8V

60

50

40

30

20

10

TJ = 100℃

TJ = -55°C

10

VDS

≥

10 V

TJ = 25°C

4

6

8

VGS ，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

RDS （ ON），漏极至源极电阻（ Ω ）

图2.传输特性

0.09

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0

10

20

30

40

50

60

TJ = 25°C

TJ = -55°C

TJ = 100℃

VGS = 10 V

0.09

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0

10

20

TJ = -55°C

TJ = 100℃

TJ = 25°C

VGS = 15 V

30

40

50

60

ID ，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与

栅极 - 源极电压

RDS （ ON），漏极 - 源极电阻

（归一化）

2.2

2

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

–50 –25

1

0

25

50

75

100

125

150

175

0

ID = 15 A

VGS = 10 V

10000

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

VGS = 0 V

智能决策支持系统，漏电（ NA）

1000

TJ = 150℃

100

10

TJ = 100℃

10

20

30

40

50

60

TJ ，结温（ ° C）

VDS ，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

3

NTP30N06 ， NTB30N06

VGS ，栅极至源极电压（伏）

2400

2000

C，电容（pF ）

1600

1200

VDS = 0 V

VGS = 0 V

12

10

8

Q1

6

4

2

0

ID = 30 A

TJ = 25°C

4

8

12

16

20

24

Q2

QT

VGS

TJ = 25°C

西塞

CRSS

800

400

0

10

西塞

科斯

CRSS

5 VGS VDS 0 5

10

15

20

25

栅极 - 源极或漏极至源极电压

（伏）

QG ，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

1000

IS ，源电流（安培）

VDS = 30 V

ID = 30 A

VGS = 10 V

T， TIME （ NS ）

100

tr

TD （关闭）

10

TD （上）

tf

32

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

VGS = 0 V

TJ = 25°C

24

16

8

1

10

RG ，栅极电阻（ Ω ）

100

0

0.6

0.68

0.76

0.84

0.92

1

1.08

1.16

VSD ，源 - 漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

1000

ID ，漏极电流（ AMPS ）

VGS = 20 V

单脉冲

TC = 25°C

EAS ，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

120

图10.二极管的正向电压与

当前

ID = 26一

100

80

60

40

20

0

100

10

10毫秒

1毫秒

100

s

10

s

RDS （ ON）限制

热限制

套餐限制

dc

1

0.1

1

10

100

25

50

75

100

125

150

175

VDS ，漏极至源极电压（伏）

TJ ，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量对比

开始结温

http://onsemi.com

4

NTP30N06 ， NTB30N06

R（T ），有效瞬态热

电阻（标准化）

1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.01

单脉冲

0.001

0.01

T，时间（S ）

t2

占空比D = T1 / T2

0.1

t1

P（ PK）

R

θJC

（吨）= R（T ）R

θJC

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间在T1

TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R

θJC

(t)

0.1

0.0001

1

10

图13.热响应

的di / dt

IS

TRR

ta

tb

时间

tp

IS

0.25 IS

图14.二极管的反向恢复波形

http://onsemi.com

5

NTP30N06 ， NTB30N06

功率MOSFET

30安培， 60伏

N沟道TO- 220和D

2

PAK

在专为低电压，高速开关应用

电源，转换器和功率电机控制和桥

电路。

特点

http://onsemi.com

无铅包可用

典型应用

30安培， 60伏

R

DS （ ON）

= 42毫瓦

D

N沟道

电源

转换器

电源电机控制

桥电路

G

S

4

价值

60

"20

"30

27

15

80

88.2

0.59

-55

+175

101

ADC

APK

W

W / ℃，

°C

mJ

NTx30N06G

AYWW

R

QJC

T

L

1.7

260

° C / W

°C

1

门

2

漏

NTx30N06

x

A

Y

WW

G

=器件代码

= B或P

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

3

来源

1

门

单位

VDC

V

GS

V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

D

T

J

, T

英镑

E

AS

1

TO220AB

CASE 221A

风格5

2

3

1

2

3

D

2

PAK

CASE 418B

方式2

4

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

漏极至栅极电压（R

GS

= 10毫瓦）

栅极 - 源极电压

- 连续

- 不重复（T

p

v10

女士）

漏电流

- 连续@ T

A

= 25°C

- 连续@ T

A

= 100°C

- 单脉冲（T

p

v10

女士）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储温度范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源 - 起始物为

J

= 25°C

(V

DD

= 50伏，V

GS

= 10 VDC ， L = 0.3 mH的

I

L（ PK）

= 26 A，V

DS

= 60 VDC ）

热阻，结到外壳

最大无铅焊接温度的

目的，在1/8的情况下，从10秒

符号

V

DSS

V

DGR

标记DIAGRAMS

＆放大器;引脚分配

4

漏

4

漏

NTX

30N06G

AYWW

2

漏

3

来源

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

1

2005年8月 - 第1版

出版订单号：

NTP30N06/D

NTP30N06 ， NTB30N06

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注1 ）

(V

GS

= 0伏，我

D

= 250

MADC ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 60 VDC ，V

GS

= 0伏）

(V

DS

= 60 VDC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 150°C)

门体漏电流（Ⅴ

GS

=

±

20伏直流电，V

DS

= 0伏）

基本特征

（注1 ）

栅极阈值电压（注1 ）

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

MADC ）

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注1 ）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 15 ADC）

静态漏 - 源极导通电压（注1 ）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 30 ADC）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 15 ADC ，T

J

= 150°C)

正向跨导（注1 ）（V

DS

= 7.0伏，我

D

= 15 ADC）

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注2 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

(V

DS

= 48伏直流，我

D

= 30 ADC ，

V

GS

= 10 VDC ）（注1 ）

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

反向恢复时间

(I

S

= 30 ADC ，V

GS

= 0伏，

dI

S

/ DT = 100 A / MS）（注1 ）

反向恢复电荷存储

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

2.开关特性是独立的工作结点温度。

(I

S

= 30 ADC ，V

GS

= 0伏）（注1 ）

(I

S

= 30 ADC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 150°C)

V

SD

t

rr

t

a

t

b

Q

RR

1.03

1.05

52

38

15

0.094

1.15

mC

VDC

ns

(V

DD

= 30伏直流电，我

D

= 30 ADC ，

V

GS

= 10伏，R

G

= 9.1

W)

（注1 ）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

T

Q

1

Q

2

11

36

24

31

23.4

5.1

11

25

80

50

60

46

nC

ns

(V

DS

= 25伏，V

GS

= 0伏，

F = 1.0兆赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

850

250

68

1200

350

100

pF

V

GS （ TH）

2.0

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

g

FS

1.1

0.98

16

1.5

姆欧

35

42

VDC

3.05

7.3

4.0

VDC

毫伏/°C的

mW

V

（ BR ） DSS

60

I

DSS

I

GSS

1.0

10

±100

NADC

71.1

70

VDC

毫伏/°C的

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

http://onsemi.com

2

NTP30N06 ， NTB30N06

60

V

GS

= 10 V

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

50

40

30

20

10

0

1

2

3

4

5

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

6

9V

7V

6.5 V

6V

5.5 V

5V

4.5 V

0

2

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

8V

60

50

40

30

20

10

T

J

= 100°C

T

J

= 55°C

10

V

DS

≥

10 V

T

J

= 25°C

4

8

6

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

图2.传输特性

0.09

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0

10

20

30

40

50

60

T

J

= 25°C

T

J

= 55°C

T

J

= 100°C

V

GS

= 10 V

0.09

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0

10

20

T

J

= 55°C

T

J

= 100°C

T

J

= 25°C

V

GS

= 15 V

30

40

50

60

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与

栅极 - 源极电压

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

2.2

2

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

50 25

1

0

25

50

75

100

125

150

175

0

I

D

= 15 A

V

GS

= 10 V

10000

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

V

GS

= 0 V

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

T

J

= 150°C

100

10

T

J

= 100°C

10

20

30

40

50

60

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

3

NTP30N06 ， NTB30N06

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

2400

2000

C，电容（pF ）

1600

1200

V

DS

= 0 V

V

GS

= 0 V

12

10

8

Q

1

6

4

2

0

I

D

= 30 A

T

J

= 25°C

4

8

12

16

20

24

Q

2

Q

T

V

GS

T

J

= 25°C

C

国际空间站

C

RSS

800

400

0

10

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

5 V

GS

0 V

DS

5

10

15

20

25

栅极 - 源极或漏极至源极电压

（伏）

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

1000

I

S

，源电流（安培）

V

DS

= 30 V

I

D

= 30 A

V

GS

= 10 V

T， TIME （ NS ）

100

t

r

t

D（关闭）

10

t

D（上）

t

f

32

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

24

16

8

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0

0.6

0.68

0.76

0.84

0.92

1

1.08

1.16

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

1000

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

V

GS

= 20 V

单脉冲

T

C

= 25°C

E

AS

，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

120

图10.二极管的正向电压与

当前

I

D

= 26 A

100

80

60

40

20

0

100

10

10毫秒

1毫秒

100

ms

10

ms

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

dc

1

0.1

1

10

100

25

50

75

100

125

150

175

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

T

J

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量对比

开始结温

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4

NTP30N06 ， NTB30N06

R（T ），有效瞬态热

电阻（标准化）

1

D = 0.5

0.2

P

（ PK）

0.1

0.05

t

1

0.01

单脉冲

0.001

0.01

T，时间（S ）

t

2

占空比D = T

1

/t

2

0.1

R

QJC

（吨）= R（T ）R

QJC

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

R

QJC

(t)

0.1

0.0001

1

10

图13.热响应

的di / dt

I

S

t

rr

t

a

t

b

时间

t

p

I

S

0.25 I

S

图14.二极管的反向恢复波形

订购信息

设备

NTP30N06

NTB30N06

NTB30N06G

NTB30N06T4

NTB30N06T4G

包

TO220AB

D

2

PAK

D

2

PAK

（无铅）

D

2

PAK

D

2

PAK

（无铅）

航运

50单位/铁

800单位/磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

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