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电气特性
表21. DDR SDRAM输出AC时序规范（续）
参数
注意事项：
1.
符号
1
民
最大
单位
笔记
2.
3.
4.
5.
6.
用于定时规范的符号跟着T的模式
（功能块的头两个字母）（信号）（状态）（参照）（状态）的
为
输入和T
（功能块的头两个字母）（参考）（状态）（信号）（状态）的
用于输出。输出保持时间可以理解为DDR时序
（ DD），从参考时钟（ KH或KL） ，直到输出去无效（AX或DX ）的上升沿或下降沿。例如，
t
DDKHAS
象征的DDR定时（DD ），用于在时间t
MCK
内存时钟基准（K ）变为由高（H ）状态，直到输出
（ A）是设置（ S）或输出有效时间。此外，T
DDKLDX
象征的DDR定时（DD ），用于在时间t
MCK
内存时钟基准（ K）
变低（L ），直到数据输出端（D）是无效的（X）或数据输出的保持时间。
所有MCK / MCK的参考测量值被从两个信号的交叉制成。
ADDR / CMD包括除MCK / MCK ， MCS和MDQ / MECC / MDM / MDQS所有DDR SDRAM输出信号。
需要注意的是吨
DDKHMH
以下附注1所述，例如，T符号约定
DDKHMH
介绍了DDR时序（ DD ）
从MCK （ n）的时钟（ KH ） ，直到MDQS信号的上升沿有效（ MH ） 。吨
DDKHMH
可通过控制被修改
在DQSS改写位在TIMING_CFG_2寄存器。这将典型地被设置为相同的延迟，在所述时钟调整
CLK_CNTL寄存器。表中所列的定时参数假设这两个参数被设置为相同的
调节值。见
MSC8252参考手册
供的定时修改的描述和理解
通过使用这些位的功能。
由数据选通（ MDQS ）和数据的任何对应的位（ MDQ ） ， ECC之间的最大可能的歪斜确定
（ MECC ） ，或数据屏蔽（MDM） 。数据选通信应的数据眼的内部在MSC8252销为中心。
在与V推荐工作条件
DDDDR
（1.5V或1,8- V）的
±
5%.
注意：
对于ADDR / CMD建立和保持规范
表21
假定在时钟控制寄存器设置为
adjust the memory clocks by ½ applied cycle.
图12
显示了对DDR SDRAM输出时序
MCK
to
MDQS
倾斜测量（T
DDKHMH
).
MCK [N ]
MCK [N ]
t
MCK
t
DDKHMHmax ） = 0.6纳秒或0.375纳秒
MDQS
t
DDKHMH （分钟） = -0.6纳秒或-0.375纳秒
MDQS
图12. MCK到MDQS时间
MSC8252双核数字信号处理器数据手册，第3
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飞思卡尔半导体公司
