恩智浦半导体
PMEG3010EH/EJ/ET
1非常低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
PMEG3010EH
PMEG3010EJ
PMEG3010ET
R
日（J -SP ）
从热阻
结点到焊点
PMEG3010EH
PMEG3010EJ
PMEG3010ET
[1]
[2]
[3]
[4]
条件
在自由空气
[1]
民
典型值
最大
单位
[2]
[3]
[2]
[3]
[2]
[3]
[4]
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
330
150
350
150
440
300
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
-
-
-
-
-
-
60
55
120
K / W
K / W
K / W
为肖特基势垒二极管的热失控，必须考虑到，在某些应用中的反向
功率损耗P
R
是的总功率损耗显着的部分。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
焊接点阴极标签。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 500毫安
I
F
=千毫安
I
R
C
d
[1]
条件
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
90
150
215
285
380
450
12
40
55
最大
130
200
250
340
430
560
30
150
70
单位
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
pF
反向电流
二极管电容
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
V
R
= 10 V
V
R
= 30 V
V
R
= 1 V;
F = 1 MHz的
PMEG3010EH_EJ_ET_4
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 二〇〇七年三月二十○日
4 11
