飞利浦半导体
PMN55LN
μTrenchMOS
逻辑电平FET
5.特点
表4：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 16 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±15
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 2.5 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 2 A;
图7
和
8
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）电压余
S
= 1.7 A; V
GS
= 0 V;
图12
V
DD
= 10 V ;
D
= 10
;
V
GS
= 4.5 V ;
G
= 6
V
GS
= 0 V; V
DS
= 20V; F = 1兆赫;
图11
I
D
= 6 A; V
DD
= 10 V; V
GS
= 10 V;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13.1
1.9
2.3
500
170
110
10
14
23
12
0.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
-
-
-
55
88
70
65
104
82
m
m
m
-
-
-
-
-
10
1
100
100
A
A
nA
1
0.6
-
-
-
-
2
-
2.3
V
V
V
20
18
-
-
-
-
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
源极 - 漏极二极管
9397 750 10937
皇家飞利浦电子有限公司2003年版权所有。
产品数据
版本01 - 2003年3月24日
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