PMN55LN
μTrenchMOS
逻辑电平FET
M3D302
版本01 - 2003年3月24日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PMN55LN在SOT457 （ TSOP6 ） 。
1.2产品特点
s
低通态电阻的小型表面贴装封装。
1.3应用
s
直流 - 直流主侧。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
20 V
s
P
合计
≤
1.75 W
s
I
D
≤
4.1 A
s
R
DSON
≤
65 m
2.管脚信息
表1：
针
1,2,5,6
3
4
钢钉 - SOT457 （ TSOP6 ） ，简化的外形和符号
描述
漏极（四）
栅极（G ）
源极（S ）
g
s
6
5
4
d
简化的轮廓
符号
1
顶视图
2
3
MBK092
MBB076
SOT457 （ TSOP6 ）
飞利浦半导体
PMN55LN
μTrenchMOS
逻辑电平FET
3.极限值
表2：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
sp
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
20
20
±15
4.1
2.6
16.5
1.75
+150
+150
1.45
5.95
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
9397 750 10937
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产品数据
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飞利浦半导体
PMN55LN
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120
PDER
(%)
80
03aa17
120
伊德尔
(%)
80
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
TSP （ ° C）
200
0
0
50
100
150
200
TSP （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能的焊料点的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能的焊料点的温度。
102
ID
(A)
10
100毫秒
1毫秒
1
DC
100毫秒
10-1
10毫秒
03al67
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10毫秒
10-2
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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4.热特性
表3：
R
日（J -SP ）
热特性
条件
最小典型最大单位
-
-
70
K / W
从结热阻到焊点
图4
符号参数
4.1瞬态热阻抗
102
第Z （J -SP ）
K / W
03al57
δ
= 0.5
0.2
10
0.1
0.05
0.02
1
P
δ
=
tp
T
单脉冲
tp
T
t
10-1
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
TP （多个）
10
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数。
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1.产品廓
1.1说明
在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PMN55LN在SOT457 （ TSOP6 ） 。
1.2产品特点
s
低通态电阻的小型表面贴装封装。
1.3应用
s
直流 - 直流主侧。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
20 V
s
P
合计
≤
1.75 W
s
I
D
≤
4.1 A
s
R
DSON
≤
65 m
2.管脚信息
表1：
针
1,2,5,6
3
4
钢钉 - SOT457 （ TSOP6 ） ，简化的外形和符号
描述
漏极（四）
栅极（G ）
源极（S ）
g
s
6
5
4
d
简化的轮廓
符号
1
顶视图
2
3
MBK092
MBB076
SOT457 （ TSOP6 ）
飞利浦半导体
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逻辑电平FET
3.极限值
表2：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
sp
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
20
20
±15
4.1
2.6
16.5
1.75
+150
+150
1.45
5.95
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
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120
PDER
(%)
80
03aa17
120
伊德尔
(%)
80
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
TSP （ ° C）
200
0
0
50
100
150
200
TSP （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能的焊料点的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能的焊料点的温度。
102
ID
(A)
10
100毫秒
1毫秒
1
DC
100毫秒
10-1
10毫秒
03al67
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10毫秒
10-2
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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4.热特性
表3：
R
日（J -SP ）
热特性
条件
最小典型最大单位
-
-
70
K / W
从结热阻到焊点
图4
符号参数
4.1瞬态热阻抗
102
第Z （J -SP ）
K / W
03al57
δ
= 0.5
0.2
10
0.1
0.05
0.02
1
P
δ
=
tp
T
单脉冲
tp
T
t
10-1
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
TP （多个）
10
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数。
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