MRF581
MRF581G
MRF581A
MRF581AG
电气特性（温度上限= 25
°
C)
STATIC
（关闭）
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICBO
IEBO
测试条件
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 5.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 0.1 MADC ， IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 15 VDC ， VBE = 0伏）
发射Cuto FF电流
（VBE = 2.5伏）
MRF581
MRF581A
价值
分钟。
18
15
30
2.5
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
0.1
0.1
单位
VDC
VDC
VDC
mA
mA
（上）
的hFE
直流电流增益
（ IC = 50 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
MRF581
MRF581A
50
90
-
200
250
-
动态
符号
COB
Ftau
测试条件
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
电流增益带宽积
（ IC = 75 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千兆赫）
价值
分钟。
-
-
典型值。
2.0
5.0
马克斯。
3.0
-
单位
pF
GHz的
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