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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第3074页 > MRF8372R2
MRF581
MRF581G
MRF581A
MRF581AG
* G表示符合RoHS标准的无铅端子表面涂层
RF &微波离散
小功率三极管
特点
低噪声 - 2.5 dB的500 MHZ
增益最佳的噪声系数= 15.5分贝@ 500 MHz的
Ftau - 5.0 GHz的@ 10V , 75毫安
高性价比MacroX套餐
万家乐X
描述:
专为高电流,低功耗,低噪声,放大器高达1.0 GHz的。
绝对最大额定值
( TCASE = 25
°
C)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
MRF581
18
30
2.5
200
MRF581A
15
单位
VDC
VDC
VDC
mA
热数据
P
P
D
D
器件总功耗@ TC = 50℃
减免上述50℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
存储结温范围
-65到+150
最高结温
150
C
C
2.5
25
1.25
10
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
TSTG
T
JMAX
修订A- 2008年12月
Microsemi的保留更改的权利,恕不另行通知,此处包含的规格和信息
请访问我们的网站www.microsemi.com或联系我们的厂家直销。
MRF581
MRF581G
MRF581A
MRF581AG
电气特性(温度上限= 25
°
C)
STATIC
(关闭)
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICBO
IEBO
测试条件
集电极 - 发射极击穿电压
( IC = 5.0 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压
( IC = 1.0 MADC , IE = 0 )
发射极 - 基极击穿电压
(IE = 0.1 MADC , IC = 0)
收藏家Cuto FF电流
( VCB = 15 VDC , VBE = 0伏)
发射Cuto FF电流
(VBE = 2.5伏)
MRF581
MRF581A
价值
分钟。
18
15
30
2.5
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
0.1
0.1
单位
VDC
VDC
VDC
mA
mA
(上)
的hFE
直流电流增益
( IC = 50 MADC , VCE = 5.0 V直流)
MRF581
MRF581A
50
90
-
200
250
-
动态
符号
COB
Ftau
测试条件
输出电容
( VCB = 10 VDC , IE = 0 , F = 1.0兆赫)
电流增益带宽积
( IC = 75 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千兆赫)
价值
分钟。
-
-
典型值。
2.0
5.0
马克斯。
3.0
-
单位
pF
GHz的
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MRF581
MRF581G
MRF581A
MRF581AG
实用
符号
NF
测试条件
噪声系数( 50欧姆)
( IC = 50 MADC , VCE = 10 VDC , F = 0.5千兆赫)
功率增益@ NFmin
( IC = 50 MADC , VCE = 10 VDC , F = 0.5千兆赫)
最大单向增益( 1 )
IC = 50 MADC , VCE = 10 VDC , F = 500 MHz的
最大稳定增益
IC = 50 MADC , VCE = 10 VDC , F = 500 MHz的
插入增益
IC = 50 MADC , VCE = 10 VDC , F = 500 MHz的
价值
分钟。
-
13
-
-
14
典型值。
3.0
15.5
17.8
20
15
-
-
-
马克斯。
3.5
单位
dB
dB
dB
dB
dB
G
G
NF
ü最大
味精
|S
21
|
2
表1.共发射极S参数, @ VCE = 10 V , IC = 50毫安
f
S11
S21
S12
S22
(兆赫)
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
|S11|
.610
.659
.671
.675
.677
.678
.677
.679
.678
.682
∠φ
-137
-161
-171
-178
176
172
168
184
160
156
|S21|
23.8
13.2
9.0
6.8
5.5
4.6
4.0
3.5
3.1
2.8
∠φ
116
98
89
83
77
72
68
64
60
56
|S12|
.026
.033
.040
.047
.055
.064
.073
.082
.092
.102
∠φ
46
47
51
55
58
61
62
63
64
65
|S22|
.522
.351
.304
.292
.293
.299
.306
.314
.322
.311
∠φ
-78
-106
-120
-128
-132
-134
-135
-136
-138
-139
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MRF581
MRF581G
MRF581A
MRF581AG
C1 , C4 , C5 , C6 , C8 , C9 - 1000 PF,贴片电容
C7, C10 — 10
F,
钽电容
RFC - VK- 200 , Ferroxcube公司
TL1 , TL7 , TL8 - 微带0.162 , X 0.600 ,
TL3 - 微带0.162 , X 0.800 ,
TL5 - 微带0.120 , X 0.440 ,
TL9 , TL10 - 微带0.025 , X 4.250 ,
板材料 - 0.0625 ,厚厚的玻璃铁氟龙
ε
r = 2.55
C2 , C3 - 1.0-10 PF,约翰森电容器
R1 - 1.0 kΩ的水库。
FB - 铁氧体磁珠, Ferroxcube公司, 56-590-65 / 3B
TL2 - 微带0.162 , X 1.000 ,
TL4 - 微带0.162 , X 0.440 ,
TL6 - 微带0.120 , X 1.160 ,
图1.最小噪声系数和增益@最小噪声系数。
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MRF581
MRF581G
MRF581A
MRF581AG
射频低功率PA, LNA ,和通用离散选择指南
GPE频率(MHz )
效率(%)
顾MAX(分贝)
IC最大(MA )
建行(PF )
BVCEO
IC最大(MA )
3.5
20 400
30 400
30 400
1
1
3
1
1
1
2.6
噘嘴(瓦特)
NF( dB)的
NF IC (MA )
NF VCE
GN ( dB)的
频率(MHz )
设备
SO-8
TO-39
POWER指令
POWER指令
TO-39
TO-39
TO-72
MRF4427 , R2
2N4427
MRF553
MRF553T
MRF607
2N6255
2N5179
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
175 0.15
175
1
175 1.5
175 1.5
175 1.75
175
3
200
512
512
400
400
470
470
0.5
0.5
1
1
1.5
1.5
18
10
11.5
11.5
11.5
7.8
20
10
13
10
10
11
11
6.5
9.5
8
8
8
60
50
60
50
50
50
12
12
12.5
12.5
12.5
12.5
6
20 400
20 400
16 500
16 500
16 330
18 1000
12 50
TO-39
TO-39
SO-8
TO-72
TO-72
TO-39
TO-72
TO-72
万家乐牛逼
万家乐牛逼
SO-8
万家乐X
万家乐
TO-72
TO-72
万家乐X
TO-39
2N5109
MRF5943C
2N5179
2N2857
MRF517
MRF904
2N6304
BFR91
BFR96
MRF581A
BFR90
BFY90
MRF914
MRF581
MRF586
NPN 200
NPN 200
NPN 200
NPN 300
NPN 300
NPN 450
NPN 450
NPN 500
NPN 500
NPN 500
NPN 500
NPN 500
NPN 500
NPN 500
NPN 500
3
10 15
12
15
17
13
1200
1300
900
1600
3.4 30 15
3.4 30 15
4.5 1.5
5.5 50
6
6
11.4 1000
MRF5943中,R 1 ,R 2的NPN 200
Ftau (兆赫)
4000
1400
5000
5000
1300
4500
GPE ( dB)的
GPE VCC
BVCEO
设备
TYPE
PACKAG
TYPE
12 50
15 40
25 150
15 30
15 50
12 35
15 100
15 200
15 200
7.5 50 15
1.5
5
1.9
2
2
2
2.4
2.5
2.5
3
5
2
2
6
5
5
11
5.5 4600
11
14
16.5 5000
14.5 500
万家乐X
MRF559
万家乐X
MRF559
TO-39
2N3866A
SO-8
MRF3866中,R1, R2的
POWER指令
MRF555
POWER指令
MRF555T
65 7.5 16 150
60 12.5 16 150
45 28 30 400
45 28 30 400
50 12.5 16 400
50 12.5 16 400
70
65
55
55
55
7.5
12.5
12.5
12.5
12.5
16
16
16
16
16
150
150
200
400
400
10 10
50 10
2
2
5
10
5
10
15
11
14
15
MRF5812中,R 1 ,R 2的NPN 500
50 10 15.5 17.8 5000
15
18
20
15
1
15 30
15 50
12 40
16 200
2.5 50 10
90 15
17.8 5000
14.5 4500
2.2
17 200
万家乐X
MRF559
NPN 870 0.5
万家乐X
MRF559
NPN 870 0.5
SO-8
MRF8372中,R 1 ,R 2的NPN 870 0.75
POWER指令
MRF557
NPN 870 1.5
POWER指令
MRF557T
NPN 870 1.5
万家乐X
万家乐X
万家乐牛逼
万家乐牛逼
MRF951
MRF571
BFR91
BFR90
NPN 1000 1.3
NPN 1000 2.5
NPN 1000
3
5
2
2
6
6
5
10
14
10
8
10
17
11
8000 0.45 10 100
8000
5000
1
1
1
10 70
12 35
15 30
NPN 1000 1.5 10
12.5 5000
TO-39
TO-39
MRF545
MRF544
PNP
NPN
14
1400
2
70 400
70 400
13.5 1500
RF (低功率PA /通用)选择指南
RF ( LNA /通用)选择指南
低成本RF塑料包装选项
1
1
4
3
3
2
4
2
8
1
5
4
万家乐牛逼
万家乐X
动力
SO-8
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摩托罗拉
半导体技术资料
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由MRF8372 / D
射频线
NPN硅
低RF功率晶体管
主要设计用于800 MHz的宽带大信号预驱动阶段
和UHF频率范围内。
指定@ 12.5 V, 870 MHz的特点
输出功率= 750毫瓦
最小增益= 8.0分贝
效率60 % (典型值)
先进设备,最先进的技术
精线几何
黄金顶部金属和电线
氮化硅钝化
离子注入砷发射器
电路板摄影大师可应要求提供联系
RF战术营销在亚利桑那州凤凰城。
为了MRF8372在磁带和卷轴包装加后缀:
R1后缀= 500单位每卷
R2的后缀= 2500单位每卷
CASE 751-05 ,风格1
SORF ( SO - 8 )
MRF8372R1 , R2
750毫瓦, 870兆赫
射频低功耗
晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TC = 75 ° C( 1 )
减免上述75℃
存储温度范围
最高结温
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
TJ , TSTG
TJMAX
符号
R
θJC
价值
16
36
4.0
200
1.67
22.2
- 55 + 150
150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
毫瓦/°C的
°C
°C
热特性
特征
热阻,结到外壳
最大
45
单位
° C / W
器件标识
MRF8372 = 8372
注意:
1.外壳温度测量集电极引线紧邻包装的主体。
(替换MRF837 / D )
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉1997年公司
MRF8372R1 , R2
1
电气特性
( TC = 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
( IC = 5.0 MADC , IB = 0 )
集电极 - 发射极击穿电压
(IC = 5.0 MADC , VBE = 0)
发射极 - 基极击穿电压
(IE = 0.1 MADC , IC = 0)
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 15 VDC , VBE = 0 , TC = 25 ° C)
V( BR ) CEO
V( BR ) CES
V( BR ) EBO
16
36
4.0
0.1
VDC
VDC
VDC
MADC
基本特征
直流电流增益
( IC = 50 MADC , VCE = 10 V直流)
的hFE
30
90
200
动态特性
输出电容
( VCB = 15 VDC , IE = 0 , F = 1.0兆赫)
COB
1.8
2.5
pF
功能测试
共发射极放大器的功率增益
( VCC = 12.5伏,噘= 0.75 W, F = 870兆赫)
收藏家EF网络效率
( VCC = 12.5伏,噘= 0.75 W, F = 870兆赫)
GPE
η
8.0
55
10
60
dB
%
MRF8372R1 , R2
2
摩托罗拉RF设备数据
C6
B
B
L3
+
C7
C8
+
VCC
C4
Z6
L1
L2
Z5
Z1
C1
Z2
C2
Z3
C3
Z4
DUT
C5
C1 , C5 - 0.8 - 8.0 pF的约翰森Gigatrim
C2 , C3 - 10 pF的陶瓷贴片电容器
C6 - 91 pF的钳位云母,迷你安德伍德
C4 - 47 pF的陶瓷贴片电容器
C7 - 91 pF的钳位云母,迷你安德伍德
C8 — 1.0
F
25 V钽
B - 珠子, Ferroxcube公司56-590-65 / 3B
L1 , L2 - 4圈, # 21 AWG , 5/32 “ ID
L3 - 7曲折, # 21 AWG , 5/32 “ ID
Z 1,Z - 1“× 0.078 ”微带,的Zo = 50欧姆
Z3 - 0.25 “× 0.078 ”微带,莫宁= 50欧姆
Z4 - 0.15 “× 0.078 ”微带,莫宁= 50欧姆
Z5 - 0.30 “× 0.078 ”微带,莫宁= 50欧姆
Z6 - 1.63 “× 0.078 ”微带,莫宁= 50欧姆
PCB - 1/32 “特氟龙玻璃,
ε
r = 2.56
图1: 800 - 900 MHz的宽带线路
800/900 MHz的频带数据
12
GPE
10
PE ,增益(dB )
噘嘴= 750毫瓦
VCC = 12.5伏
η
C,集电极
IRL ,输入
回波损耗(分贝)效率( % )
70
8
6
50
4
2
800
820
IRL
840
860
880
10
15
20
25
900
η
c
60
男,频率(MHz)
图2.典型的宽带性能
摩托罗拉RF设备数据
MRF8372R1 , R2
3
VCC = 7.5 V
f
频率
兆赫
806
870
960
VCC = 12.5 V
VCC = 7.5 V
ZOL *
VCC = 12.5 V
噘嘴= 806兆赫= 1.05毫瓦
噘嘴= 870兆赫= 855毫瓦
噘嘴= 960兆赫= 580毫瓦
20.9 – j31.0
32.1 – j26.6
36.3 – j25.7
PIN = 150毫瓦
8.0 + j1.9
5.2 + j3.5
6.8 + j4.0
PIN = 100毫瓦
4.0 + j1.2
6.0 + j1.9
6.1 + j2.5
噘嘴= 806兆赫= 820毫瓦
噘嘴= 870兆赫= 635毫瓦
噘嘴= 960兆赫= 530毫瓦
24.7 – j19.2
36.9 – j20.5
39.3 – j18.5
ZOL * =进入该装置的输出工作在一个给定的输出功率,电压和频率的最佳负载阻抗的共轭。
表1系列等效输入/输出阻抗
典型特征
800/900 MHz的带外数据(续)
1200
VCC = 12.5伏
噘嘴,输出功率(毫瓦)
900
噘嘴,输出功率(毫瓦)
1000
PIN = 150毫瓦
500
100毫瓦
600
7.5伏
300
50毫瓦
0
0
15
30
45
60
75
90
105
引脚,输入功率(毫瓦)
120
135
150
0
800
820
840
860
880
900
男,频率(MHz)
920
940
960
图3.输出功率与输入功率
F = 870 MHz的
图4.输出功率与频率
VCC = 7.5伏
1200
PIN = 150毫瓦
噘嘴,输出功率(毫瓦)
900
100毫瓦
1600
噘嘴,输出功率(毫瓦)
1200
PIN = 150毫瓦
800
600
50毫瓦
300
F = 870 MHz的
0
6
8
10
12
VCC ,集电极电压(VDC )
14
16
100毫瓦
400
50毫瓦
VCC = 12.5伏
820
840
860
880
900
男,频率(MHz)
920
940
960
0
800
图5.输出功率与集电极电压
图6.输出功率与频率
MRF8372R1 , R2
4
摩托罗拉RF设备数据
典型特征
800/900 MHz的带外数据(续)
1600
1400
噘嘴,输出功率(毫瓦)
1200
1000
800
600
400
200
F = 512 MHz的
0
0
10
20
30
40
50
引脚,输入功率(毫瓦)
60
70
80
7.5伏
VCC = 12.5伏
1200
1000
800
600
400
200
VCC = 7.5伏
0
400
420
440
460
480
男,频率(MHz)
500
520
噘嘴,输出功率(毫瓦)
PIN = 75毫瓦
50毫瓦
25毫瓦
图7.输出功率与输入功率
图8.输出功率与频率
1400
1200
噘嘴,输出功率(毫瓦)
1000
800
600
400
200
F = 512 MHz的
0
6
8
10
12
VCC ,集电极电压(VDC )
14
16
25毫瓦
PIN = 75毫瓦
50毫瓦
1500
1300
1100
50毫瓦
900
700
600
VCC = 12.5伏
300
400
420
440
460
480
男,频率(MHz)
500
520
25毫瓦
PIN = 75毫瓦
图9.输出功率与集电极电压
噘嘴,输出功率(毫瓦)
图10.输出功率与频率
摩托罗拉RF设备数据
MRF8372R1 , R2
5
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