DDR和DDR2 SDRAM
6.1
DDR SDRAM直流电气特性
表10
提供推荐工作条件的的DDR SDRAM组件（S ）
MPC8533E当GV
DD
（典型值）= 1.8 V
.
表10. DDR2 SDRAM直流电气特性的GV
DD
（典型值）= 1.8 V
参数/条件
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压
输入高电压
输入低电压
输出漏电流
高输出电流（V
OUT
= 1.26 V)
输出低电流（V
OUT
= 0.33 V)
符号
GV
DD
MV
REF
V
TT
V
IH
V
IL
I
OZ
I
OH
I
OL
民
1.71
0.49
×
GV
DD
MV
REF
– 0.04
MV
REF
+ 0.26
–0.3
–50
–13.4
13.4
最大
1.89
0.51
×
GV
DD
MV
REF
+ 0.04
GV
DD
+ 0.3
MV
REF
– 0.24
50
—
—
单位
V
V
V
V
V
μA
mA
mA
笔记
1
2
3
—
—
4
—
—
注意事项：
1. GV
DD
预计将在50毫伏的DRAM的拍摄画面GV的
DD
在任何时候。
2. MV
REF
预计是等于0.5的
×
GV
DD
和跟踪GV
DD
DC变动，在接收端进行测量。峰 - 峰
在MV的噪音
REF
不得超过DC值的±2％。
3. V
TT
不直接向设备施加。它是哪个远端信号的终止是由供给和预期为
等于MV
REF
。这条铁路应该跟踪变化， MV的直流电平
REF
.
4.输出泄漏测量时，所有输出关闭， 0 V
≤
V
OUT
≤
GV
DD
.
表11
提供了DDR2的I / O容量时， GV
DD
（典型值） = 1.8 V.
表11. DDR2 SDRAM容量为GV
DD
（典型值）= 1.8 V
参数/条件
输入/输出电容： DQ ， DQS ， DQS
三角洲输入/输出电容： DQ ， DQS ， DQS
符号
C
IO
C
DIO
民
6
—
最大
8
0.5
单位
pF
pF
笔记
1
1
注意：
1.该参数进行采样。 GV
DD
= 1.8 V± 0.090 V，F = 1 MHz时，T
A
= 25 ° C，V
OUT
= GV
DD
/2, V
OUT
（峰 - 峰值） = 0.2V。
表12
提供了推荐的工作条件， DDR SDRAM组件（S ）时，
GV
DD
（典型值）= 2.5 V
.
表12. DDR SDRAM直流电气特性的GV
DD
（典型值）= 2.5 V
参数/条件
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压
输入高电压
输入低电压
符号
GV
DD
MV
REF
V
TT
V
IH
V
IL
民
2.375
0.49
×
GV
DD
MV
REF
– 0.04
MV
REF
+ 0.31
–0.3
最大
2.625
0.51
×
GV
DD
MV
REF
+ 0.04
GV
DD
+ 0.3
MV
REF
– 0.3
单位
V
V
V
V
V
笔记
1
2
3
—
—
MPC8533E的PowerQUICC III集成处理器的硬件规格，版本5
飞思卡尔半导体公司
17
