UTC L8115
应用电路
线性集成电路
下图显示的部分应用电路的示意图为UTC系列显示所有外部组件
需要适当的偏置。偏置电路在整个温度范围内具有无条件稳定
在电路中的相关联的FET和栅极与漏极电容。
电容器C2和C4确保残余电源和衬底噪声发生器不允许影响
其他外部电路可以是对RF干扰敏感。它们还有助于抑制任何潜在的RF
通过UTC设备阶段之间馈通。这些电容器都需要使用的所有阶段。值
10nF电容和4.7nF分别为
推荐但这是依赖于设计和1nF的之间的任意值
和100nF的也可以使用。
电容器C
NB
和C
子
是UTCS负电源发生器的一个组成部分。负
偏压使用内部振荡器片上产生的。的电容器C中的要求值
NB
和C
子
为47nF的。这种发生器产生约-3伏的低电流供给。虽然这发生器
纯粹为了偏置外部FET ，它可用于通过C来驱动其他外部电路
子
引脚。
电阻R
CAL
设置在所有外部FET进行操作的漏极电流。如果有任何偏置控制电路
不是必需的，其相关的漏极和栅极连接可保持打开电路而不会影响的动作
剩下的偏置电路。
与UTC L8115已被设计来防止不利的操作条件下，外部FET 。
与连接到任何偏置电路中的JFET ，所述偏置电路的栅极输出电压不能超过
-3V范围内的任何条件，包括上电和断电瞬态下1V。所有的偏差阶段
包括独立地在每个阶段工作的漏电流的限制。应的负偏压发生器是
短路或过载，使得外部FET的漏极电流不再能够控制，所以漏极
供给到场效应晶体管被关闭，以避免损坏在FET由过大的漏极电流。
*L1
C2
10nF
* L3
C
6
10nF
* C1
Q2
Q1
* L2
* C3
C
4
10nF
G1
D12
G2
G3
*带状线元素
D3
GND
Cnb1
Cnb2
C
NB
47nF
UTC L8115
SSOP16 （ 150mil ）
1
VCC
LNB上分
R2
2k
VCC
RCAL
VPOL
鳍
LOV
HB
LB
CSUB
C
子
47nF
R1
33k
C
1
4.7nF
* C5
SSOP16 （ 150mil ）应用电路
世界标准时间
UNISONIC
技术
有限公司
9
QW-R123-005,B
