UTC L8115
功能说明
线性集成电路
在UTC L8115提供了所有的偏见要求外部FET ，包括负面的产生
以上所需的门偏置，从单电源voltage.The图供显示了从单级
在UTC系列。它包含3个这样的阶段。负轨发生器是通用的设备。
外部FET Q的漏极电压
N
由UTC L8115设置到其正常工作电压。这是
通过板载V确定
D
集参考， UTC L8115这名义上是2.2伏，而。
采取由FET的漏极电流由低阻值电阻余监视
D
感。该放大器驱动
gateof在FET调整Q的栅极电压
N
因此，所采取的漏极电流相匹配的电流由一个称为对
外部电阻R
CAL
.
因为FET是耗尽型晶体管，它往往是必要的，以驱动其栅极负相对于
groundto获取所需的漏电流。为了提供这种能力从一个正电源供电时，该
deviceincludes低电流负电源发生器。这种发生器使用一个内部振荡器和两个外部
电容，C
NB
和C
子
.
下图显示了V的功能
POL
输入。只有一两个外部FET numberd Q1的
和Q2以驱动在任何一个时间，其选择由输入V控制
POL
。这输入被设计为有线
到LNB经由高值（ 10,000 ） resistor.With在LNB组处于或低于输入电压的输入功率
14V ， .FET Q2将enabled.With等于或高于15.5V的输入电压时，场效应晶体管Q1将enabled.The禁用FET具有
它的栅极驱动为低电平，其漏极端子被切换开路。这是允许的commect漏极引脚D1和
D2一起，如果需要由应用电路;这是内部在SSOP- 16（ 150mil ）完成version.FET数
Q 3是施加到V上的电压始终是活动的而不管
POL 。
D1
Q1
G1
漏
电压&
当前
调节器
启用
-
+
14.75V
参考
V
POL
输入
20μA
V
子
D2
Q2
G2
漏
电压&
当前
调节器
启用
20μA
V
子
D3
Q3
G3
20μA
V
子
漏
电压&
当前
调节器
启用
对于SSOP - 20 （ 150mil ）封装
世界标准时间
UNISONIC
技术
有限公司
7
QW-R123-005,B
