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恩智浦半导体
PSMN030-150B
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET
100
P
DER
(%)
80
003aaf138
100
I
D
(%)
80
003aaf139
60
60
40
40
20
20
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
003aaf140
图2 。
标准化的连续漏极电流为
的安装基座温度功能
003aaf155
10
3
I
DM
(A)
10
2
10
2
R
DS （ ON）
= V
DS
/ I
D
TP = 10
μs
100
μs
l
AS
(A)
25
°C
10
T
j
雪崩= 150前
°C
10
特区
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
1
10
3
10
2
10
1
1
t
AV
（女士）
10
T
mb
= 25°C ;我
DM
是单脉冲
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏极
电流与漏源电压的函数
图4 。
非钳位感性负载
单次雪崩额定值;雪崩
电流作为雪崩周期的函数
PSMN030-150B
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版本02 - 2010年12月13日
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