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恩智浦半导体
PSMN030-150B
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号说明
G
D
S
D
门
漏
[1]
来源
安装底座;地连接到漏
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
2
1
3
SOT404 （ D2PAK ）
[1]
它不可能做出第2脚的连接。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN030-150B
D2PAK
描述
VERSION
塑料单端表面安装封装（ D2PAK ） ; 3导致SOT404
（ 1铅裁剪）
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
非重复性雪崩电流
T
mb
= 25 °C
脉冲;吨
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 35 A;
V
SUP
≤
50 V ;松开;
GS
= 50
;
t
p
= 100 s
V
SUP
≤
50 V; V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
R
GS
= 50
;
松开
T
mb
= 25 °C
T
mb
= 100 °C
脉冲;吨
mb
= 25 °C
T
mb
= 25 °C
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≤
175 ℃;牛逼
j
≥
25 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
150
150
20
55.5
39
222
250
175
175
55.5
222
300
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
I
AS
-
35
A
PSMN030-150B
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产品数据表
版本02 - 2010年12月13日
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