恩智浦半导体
PSMN005-30K
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX逻辑电平FET
10
4
03ah10
60
V
GS
= 0 V
I
S
(A)
03ah09
C
（PF ）
C
国际空间站
40
10
3
C
OSS
C
RSS
T
j
= 150
°C
10
2
10
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
0
0
0.4
20
25
°C
0.8
V
SD
(V)
1.2
图13.输入，输出和反向传输电容
作为漏极 - 源极电压的函数;典型
值
图14.电源电流为源极 - 漏极的功能
电压;典型值
PSMN005-30K_1
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产品数据表
版本01 - 2009年11月17日
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