PSMN005-30K
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX逻辑电平FET
版本01 - 2009年11月17日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
SiliconMAX逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在
塑料包装使用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的
仅在计算，通信，消费电子和工业应用。
1.2特点和优点
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
适用于高频
由于快速开关应用
特征
1.3应用
电脑主板
的DC- DC转换器
开关模式电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
sp
= 80 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
sp
= 80 ℃;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
30
20
3.5
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 20 A;
V
DS
= 15 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 25°C ;看
图10
和
11
-
14
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
4.4
5.5
m
