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恩智浦半导体
PSMN1R7-30YL
N沟道30 V 1.7毫欧的LFPAK逻辑电平MOSFET
2
a
03aa27
V
DS
I
D
1.5
V
GS （ PL ）
V
GS （ TH）
V
GS
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
Q
G（ TOT ）
003aaa508
1
0.5
Q
GS
0
60
0
60
120
T
j
(
°
C)
180
图13.归漏极 - 源极导通电阻
因子作为结温的函数
10
V
GS
(V)
8
003aac448
图14.栅极电荷波形定义
6000
C
国际空间站
C
（PF ）
C
OSS
4000
003aac454
6
V
DS
= 12 (V)
4
2000
2
C
RSS
V
DS
= 19 (V)
0
0
20
40
60
Q
G
（ NC ）
80
0
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图15，栅极 - 源极电压作为栅极的功能
充电;典型值
图16.输入，输出和反向传输电容
作为漏极 - 源极电压的函数;典型
值
PSMN1R7-30YL
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第1版 - 二零一一年五月三十日
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