LF
PA
K
PSMN1R7-30YL
N沟道30 V 1.7毫欧的LFPAK逻辑电平MOSFET
第1版 - 二零一一年五月三十日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
在LFPAK封装的逻辑电平N沟道MOSFET资格175 ℃。本产品是
在广泛的工业，通信和国内设计和合格的使用
设备。
1.2特点和优点
先进的TrenchMOS提供低
导通电阻和低栅极电荷
高效率提升开关
电源转换器
改进的机械性能和热
特征
LFPAK提供的最大功率
密度在电力SO8封装
1.3应用
的DC- DC转换器
锂离子电池保护
负载开关
电机控制
服务器电源
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 100 ℃;看
图13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 25 °C
动态特性
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 10 A;
V
DS
= 12 V ;看
图14 ;
SEE
图15
-
8.7
-
nC
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
民
-
-
-
-55
-
-
典型值
-
-
-
-
-
1.3
最大单位
30
100
109
175
2.4
1.7
V
A
W
°C
m
m
静态特性
