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恩智浦半导体
PSMN1R7-30YL
N沟道30 V 1.7毫欧的LFPAK逻辑电平MOSFET
快速参考数据
- 续
参数
总栅极电荷
条件
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 10 A;
V
DS
= 12 V ;看
图14
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
I
D
= 100 A; V
SUP
≤
30 V;
R
GS
= 50
;
松开
民
-
典型值
最大单位
nC
36.2 -
表1中。
符号
Q
G（ TOT ）
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
不重复
漏源雪崩
能源
-
-
241
mJ
[1]
连续电流通过封装的限制。
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
管脚信息
符号说明
S
S
S
G
D
来源
来源
来源
门
安装底座;地连接到漏
1 2 3 4
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
SOT669 （ LFPAK ;电SO8 ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PSMN1R7-30YL
LFPAK ;电源SO8
描述
塑料单端的表面安装封装; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
PSMN1R7-30YL
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产品数据表
第1版 - 二零一一年五月三十日
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